FDS8896 Альтернативные части: SI4048DY-T1-GE3 ,SI4174DY-T1-GE3

FDS8896ON Semiconductor

В наличии: 13263

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
87.310000 ₽
87.36 ₽
10
82.367967 ₽
823.63 ₽
100
77.705618 ₽
7,770.60 ₽
500
73.307198 ₽
36,653.57 ₽
1000
69.157679 ₽
69,157.69 ₽

Цена за единицу: 87.310000 ₽

Итоговая цена: 87.36 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDS8896	иSI4048DY-T1-GE3	иSI4174DY-T1-GE3
Производитель:	ON Semiconductor	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
Описание:	Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R	MOSFET, N CH, W/D, 30V, 19.3A, SO8	MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)	-	-
Срок поставки от производителя	18 Weeks	13 Weeks	14 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Вес	130mg	-	186.993455mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	15A Ta	19.3A Tc	17A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta 5.7W Tc	2.5W Ta 5W Tc
Время отключения	60 ns	-	19 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	TrenchFET®	TrenchFET®
Опубликовано	2001	2012	2013
Код JESD-609	e4	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	-
Состояние изделия	Active	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Сопротивление	6MOhm	-	9.5MOhm
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Matte Tin (Sn)	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	-	-
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	15A	-	-
Конфигурация элемента	Single	-	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W	2.5W
Время задержки включения	8 ns	-	14 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	6m Ω @ 15A, 10V	85m Ω @ 15A, 10V	9.5m Ω @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250μA	3V @ 250μA	2.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	2525pF @ 15V	2060pF @ 15V	985pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	67nC @ 10V	51nC @ 10V	27nC @ 10V
Время подъема	37ns	-	12ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Время падения (тип)	24 ns	8 ns	9 ns
Непрерывный ток стока (ID)	15A	19.3A	17A
Пороговое напряжение	1.2V	1V	1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	-	30V
Высота	1.5mm	-	1.5mm
Длина	5mm	-	5mm
Ширина	4mm	-	4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260	260
Код соответствия REACH	-	unknown	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	30	40
Число контактов	-	8	8
Квалификационный Статус	-	Not Qualified	-
Конфигурация	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	30V	-
Минимальная напряжённость разрушения	-	30V	-
Каналов количество	-	-	1

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
SI4048DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET, N CH, W/D, 30V, 19.3A, SO8	Для сравнения
SI4174DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7821TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC	Для сравнения
FDS6676AS	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC	Для сравнения