FDS8896 Альтернативные части: IRF7821TRPBF

FDS8896ON Semiconductor

В наличии: 13263

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
87.310000 ₽
87.36 ₽
10
82.367967 ₽
823.63 ₽
100
77.705618 ₽
7,770.60 ₽
500
73.307198 ₽
36,653.57 ₽
1000
69.157679 ₽
69,157.69 ₽

Цена за единицу: 87.310000 ₽

Итоговая цена: 87.36 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDS8896	иIRF7821TRPBF
Производитель:	ON Semiconductor	Infineon Technologies
Описание:	Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R	MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)	-
Срок поставки от производителя	18 Weeks	12 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	130mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	15A Ta	13.6A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	60 ns	9.7 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~155°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	HEXFET®
Опубликовано	2001	2007
Код JESD-609	e4	e3
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	6MOhm	9.1MOhm
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	30V
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	15A	13.6A
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W
Время задержки включения	8 ns	6.3 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	6m Ω @ 15A, 10V	9.1m Ω @ 13A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250μA	1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	2525pF @ 15V	1010pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	67nC @ 10V	14nC @ 4.5V
Время подъема	37ns	2.7ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Время падения (тип)	24 ns	7.3 ns
Непрерывный ток стока (ID)	15A	13.6A
Пороговое напряжение	1.2V	1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Высота	1.5mm	1.75mm
Длина	5mm	4.9784mm
Ширина	4mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Contains Lead, Lead Free
Завершение	-	SMD/SMT
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	30
Интервал строк	-	6.3 mm
Каналов количество	-	1
Двухпитание напряжения	-	30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	44 mJ
Время восстановления	-	42 ns
Максимальная температура перехода (Тj)	-	155°C
Номинальное Vgs	-	1 V

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
SI4048DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET, N CH, W/D, 30V, 19.3A, SO8	Для сравнения
SI4174DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7821TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC	Для сравнения
FDS6676AS	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC	Для сравнения