Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS8896 Альтернативные части: SI4174DY-T1-GE3
FDS8896ON Semiconductor
В наличии: 13263
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
87.310000 ₽
87.36 ₽
10
82.367967 ₽
823.63 ₽
100
77.705618 ₽
7,770.60 ₽
500
73.307198 ₽
36,653.57 ₽
1000
69.157679 ₽
69,157.69 ₽
Цена за единицу: 87.310000 ₽
Итоговая цена: 87.36 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R | MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | 14 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Вес | 130mg | 186.993455mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 15A Ta | 17A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 2.5W Ta 5W Tc |
Время отключения | 60 ns | 19 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | TrenchFET® |
Опубликовано | 2001 | 2013 |
Код JESD-609 | e4 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 6MOhm | 9.5MOhm |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 15A | - |
Конфигурация элемента | Single | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 8 ns | 14 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 6m Ω @ 15A, 10V | 9.5m Ω @ 10A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 2.2V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 2525pF @ 15V | 985pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 67nC @ 10V | 27nC @ 10V |
Время подъема | 37ns | 12ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 24 ns | 9 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 15A | 17A |
Пороговое напряжение | 1.2V | 1V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V |
Высота | 1.5mm | 1.5mm |
Длина | 5mm | 5mm |
Ширина | 4mm | 4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 |
Число контактов | - | 8 |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Каналов количество | - | 1 |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4048DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET, N CH, W/D, 30V, 19.3A, SO8 | Для сравнения |
| SI4174DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC | Для сравнения |
 | IRF7821TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC | Для сравнения |
 | FDS6676AS | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC | Для сравнения |