Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS8870 Альтернативные части: IRF7832TRPBF ,FDS8813NZ
FDS8870ON Semiconductor
В наличии: 2511
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
165.025495 ₽
164.97 ₽
10
155.684478 ₽
1,556.87 ₽
100
146.872115 ₽
14,687.23 ₽
500
138.558571 ₽
69,279.26 ₽
1000
130.715646 ₽
130,715.66 ₽
Цена за единицу: 165.025495 ₽
Итоговая цена: 164.97 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET | MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC | Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | 12 Weeks | 18 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 130mg | - | 130mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 18A Ta | 20A Ta | 18.5A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 2.5W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 60 ns | 21 ns | 39 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~155°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | HEXFET® | PowerTrench® |
Опубликовано | 2001 | 2005 | 2013 |
Код JESD-609 | e4 | - | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 4.2MOhm | 4MOhm | 4.5MOhm |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | - | TIN |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | 30V | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - | 260 |
Моментальный ток | 18A | 20A | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - | 30 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 9 ns | 12 ns | 13 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 4.2m Ω @ 18A, 10V | 4m Ω @ 20A, 10V | 4.5m Ω @ 18.5A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 2.32V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 4615pF @ 15V | 4310pF @ 15V | 4145pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 112nC @ 10V | 51nC @ 4.5V | 76nC @ 10V |
Время подъема | 48ns | 6.7ns | 8ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 21 ns | 13 ns | 7 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 18A | 20A | 18.5A |
Пороговое напряжение | 2.5V | 2.32V | 1.8V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 30V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 420 mJ | 260 mJ | - |
Номинальное Vgs | 2.5 V | 2.32 V | 1.8 V |
Высота | 1.5mm | 1.75mm | 1.575mm |
Длина | 5mm | 4.9784mm | 4.9mm |
Ширина | 4mm | 3.9878mm | 3.9mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Contains Lead, Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin | Tin |
Завершение | - | SMD/SMT | SMD/SMT |
Интервал строк | - | 6.3 mm | - |
Каналов количество | - | 1 | - |
Двухпитание напряжения | - | 30V | 30V |
Время восстановления | - | 62 ns | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 155°C | - |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Обратная ёмкость-Макс (Crss) | - | - | 520 pF |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS8813NZ | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
 | IRF8736TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF7832TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC | Для сравнения |