FDS8870 Альтернативные части: IRF7832TRPBF

FDS8870ON Semiconductor

В наличии: 2511

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
165.025495 ₽
164.97 ₽
10
155.684478 ₽
1,556.87 ₽
100
146.872115 ₽
14,687.23 ₽
500
138.558571 ₽
69,279.26 ₽
1000
130.715646 ₽
130,715.66 ₽

Цена за единицу: 165.025495 ₽

Итоговая цена: 164.97 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDS8870	иIRF7832TRPBF
Производитель:	ON Semiconductor	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET	MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	-
Срок поставки от производителя	18 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	130mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	18A Ta	20A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	60 ns	21 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~155°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	HEXFET®
Опубликовано	2001	2005
Код JESD-609	e4	-
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	4.2MOhm	4MOhm
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	30V
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	-
Моментальный ток	18A	20A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	-
Квалификационный Статус	Not Qualified	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W
Время задержки включения	9 ns	12 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	4.2m Ω @ 18A, 10V	4m Ω @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250μA	2.32V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	4615pF @ 15V	4310pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	112nC @ 10V	51nC @ 4.5V
Время подъема	48ns	6.7ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Время падения (тип)	21 ns	13 ns
Непрерывный ток стока (ID)	18A	20A
Пороговое напряжение	2.5V	2.32V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)	420 mJ	260 mJ
Номинальное Vgs	2.5 V	2.32 V
Высота	1.5mm	1.75mm
Длина	5mm	4.9784mm
Ширина	4mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Contains Lead, Lead Free
Покрытие контактов	-	Tin
Завершение	-	SMD/SMT
Интервал строк	-	6.3 mm
Каналов количество	-	1
Двухпитание напряжения	-	30V
Время восстановления	-	62 ns
Максимальная температура перехода (Тj)	-	155°C
Корпусировка на излучение	-	No

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS8813NZ	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения
IRF8736TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7832TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC	Для сравнения