FDS8870 Альтернативные части: FDS8813NZ

FDS8870ON Semiconductor

В наличии: 2511

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
165.025495 ₽
164.97 ₽
10
155.684478 ₽
1,556.87 ₽
100
146.872115 ₽
14,687.23 ₽
500
138.558571 ₽
69,279.26 ₽
1000
130.715646 ₽
130,715.66 ₽

Цена за единицу: 165.025495 ₽

Итоговая цена: 164.97 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDS8870	иFDS8813NZ
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET	Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя	18 Weeks	18 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	130mg	130mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	18A Ta	18.5A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	60 ns	39 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	PowerTrench®
Опубликовано	2001	2013
Код JESD-609	e4	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	4.2MOhm	4.5MOhm
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	TIN
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	-
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	260
Моментальный ток	18A	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	30
Квалификационный Статус	Not Qualified	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W
Время задержки включения	9 ns	13 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	4.2m Ω @ 18A, 10V	4.5m Ω @ 18.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	4615pF @ 15V	4145pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	112nC @ 10V	76nC @ 10V
Время подъема	48ns	8ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Время падения (тип)	21 ns	7 ns
Непрерывный ток стока (ID)	18A	18.5A
Пороговое напряжение	2.5V	1.8V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)	420 mJ	-
Номинальное Vgs	2.5 V	1.8 V
Высота	1.5mm	1.575mm
Длина	5mm	4.9mm
Ширина	4mm	3.9mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Tin
Завершение	-	SMD/SMT
Двухпитание напряжения	-	30V
Обратная ёмкость-Макс (Crss)	-	520 pF
Корпусировка на излучение	-	No

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS8813NZ	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения
IRF8736TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7832TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC	Для сравнения