Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS6912A Альтернативные части: FDS8984 ,FDS6990AS
FDS6912AON Semiconductor
В наличии: 56292
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
40.012500 ₽
39.97 ₽
10
37.747637 ₽
377.47 ₽
100
35.610989 ₽
3,561.13 ₽
500
33.595261 ₽
16,797.66 ₽
1000
31.693654 ₽
31,693.68 ₽
Цена за единицу: 40.012500 ₽
Итоговая цена: 39.97 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC | MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 10 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 187mg | 187mg | 187mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Время отключения | 23 ns | 42 ns | 24 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench®, SyncFET™ |
Опубликовано | 2003 | 2001 | 2005 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Завершение | SMD/SMT | - | SMD/SMT |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 28MOhm | 23MOhm | 22mOhm |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - | Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | - | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | 30V | - |
Максимальная потеря мощности | 1.6W | 1.6W | 900mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 6A | 7A | - |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Dual |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.6W | 1.6W | 2W |
Время задержки включения | 8 ns | 5 ns | 8 ns |
Мощность - Макс | 900mW | - | - |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 28m Ω @ 6A, 10V | 23m Ω @ 7A, 10V | 22m Ω @ 7.5A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.5V @ 250μA | 3V @ 1mA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 575pF @ 15V | 635pF @ 15V | 550pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 8.1nC @ 5V | 13nC @ 10V | 14nC @ 5V |
Время подъема | 5ns | 9ns | 8ns |
Время падения (тип) | 5 ns | 9 ns | 8 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 6A | 7mA | 7.5mA |
Пороговое напряжение | 1.9V | 1.7V | 1.7V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 6A | 7A | 7.5A |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 30V |
Двухпитание напряжения | 30V | - | 30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Высота | 1.5mm | 1.5mm | 1.75mm |
Длина | 5mm | 5mm | 5mm |
Ширина | 4mm | 4mm | 4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin | - |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 30A | - |
Номинальное Vgs | - | 1.7 V | 1.7 V |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | - | 7.5A |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | 30 |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Каналов количество | - | - | 2 |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | - | 150°C |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS8984 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC | Для сравнения |
| FDS6990AS | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC | Для сравнения |
 | IRF9389TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO | Для сравнения |
| FDS8958A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC | Для сравнения |