FDS6912A Альтернативные части: FDS8958A

FDS6912AON Semiconductor

В наличии: 56292

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
40.012500 ₽
39.97 ₽
10
37.747637 ₽
377.47 ₽
100
35.610989 ₽
3,561.13 ₽
500
33.595261 ₽
16,797.66 ₽
1000
31.693654 ₽
31,693.68 ₽

Цена за единицу: 40.012500 ₽

Итоговая цена: 39.97 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDS6912A	иFDS8958A
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC	MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
Срок поставки от производителя	10 Weeks	18 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	187mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	-
Количество элементов	2	2
Время отключения	23 ns	14 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	PowerTrench®
Опубликовано	2003	2007
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Завершение	SMD/SMT	SMD/SMT
Код ECCN	EAR99	-
Сопротивление	28MOhm	28mOhm
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	-
Дополнительная Характеристика	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	-
Максимальная потеря мощности	1.6W	2W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	6A	7A
Конфигурация элемента	Dual	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	1.6W	2W
Время задержки включения	8 ns	-
Мощность - Макс	900mW	900mW
Тип ТРВ	2 N-Channel (Dual)	N and P-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	28m Ω @ 6A, 10V	28m Ω @ 7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	575pF @ 15V	575pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	8.1nC @ 5V	16nC @ 10V
Время подъема	5ns	13ns
Время падения (тип)	5 ns	9 ns
Непрерывный ток стока (ID)	6A	7A
Пороговое напряжение	1.9V	1.9V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	6A	7A
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Двухпитание напряжения	30V	30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Высота	1.5mm	1.5mm
Длина	5mm	5mm
Ширина	4mm	4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Tin
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	-	7A 5A
Максимальная рабочая температура	-	150°C
Минимальная температура работы	-	-55°C
Положение терминала	-	DUAL
Полярность/Тип канала	-	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	54 mJ
Номинальное Vgs	-	1.9 V

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS8984	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC	Для сравнения
FDS6990AS	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC	Для сравнения
IRF9389TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO	Для сравнения
FDS8958A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC	Для сравнения