Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS6912A Альтернативные части: IRF9389TRPBF
FDS6912AON Semiconductor
В наличии: 56292
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
40.012500 ₽
39.97 ₽
10
37.747637 ₽
377.47 ₽
100
35.610989 ₽
3,561.13 ₽
500
33.595261 ₽
16,797.66 ₽
1000
31.693654 ₽
31,693.68 ₽
Цена за единицу: 40.012500 ₽
Итоговая цена: 39.97 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC | MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Вес | 187mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 2 |
Время отключения | 23 ns | 17 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | HEXFET® |
Опубликовано | 2003 | 2008 |
Код JESD-609 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Завершение | SMD/SMT | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 28MOhm | - |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Дополнительная Характеристика | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | - |
Максимальная потеря мощности | 1.6W | 2W |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 6A | - |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.6W | 2W |
Время задержки включения | 8 ns | - |
Мощность - Макс | 900mW | - |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 28m Ω @ 6A, 10V | 27m Ω @ 6.8A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.3V @ 10μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 575pF @ 15V | 398pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 8.1nC @ 5V | 14nC @ 10V |
Время подъема | 5ns | 14ns |
Время падения (тип) | 5 ns | 15 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 6A | 4.6A |
Пороговое напряжение | 1.9V | 1.8V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 6A | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V |
Двухпитание напряжения | 30V | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Высота | 1.5mm | 1.5mm |
Длина | 5mm | 5mm |
Ширина | 4mm | 4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | 6.8A 4.6A |
Основной номер части | - | IRF9389 |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 34A |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS8984 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC | Для сравнения |
| FDS6990AS | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC | Для сравнения |
 | IRF9389TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO | Для сравнения |
| FDS8958A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC | Для сравнения |