Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS6898AZ Альтернативные части: FDS6898A ,DMN2028USS-13
FDS6898AZON Semiconductor
В наличии: 16939
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
55.015110 ₽
55.08 ₽
10
51.901044 ₽
518.96 ₽
100
48.963255 ₽
4,896.29 ₽
500
46.191745 ₽
23,095.88 ₽
1000
43.577115 ₽
43,577.06 ₽
Цена за единицу: 55.015110 ₽
Итоговая цена: 55.08 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC | ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC | 20V N-Channel Enhancement MOSFET SOIC8 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 10 Weeks | 16 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 187mg | 187mg | 73.992255mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 2 | 1 |
Время отключения | 34 ns | 34 ns | 35.89 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | PowerTrench® | - |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Завершение | SMD/SMT | SMD/SMT | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 14MOhm | 14MOhm | - |
Дополнительная Характеристика | ESD PROTECTED | - | ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 20V | 20V | - |
Максимальная потеря мощности | 2W | 2W | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - | 260 |
Моментальный ток | 9.4A | 9.4A | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - | 40 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - | - |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2W | 2W | 1.56W |
Время задержки включения | 10 ns | 10 ns | 11.67 ns |
Мощность - Макс | 900mW | 900mW | - |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 14m Ω @ 9.4A, 4.5V | 14m Ω @ 9.4A, 4.5V | 20m Ω @ 9.4A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.5V @ 250μA | 1.5V @ 250μA | 1.3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1821pF @ 10V | 1821pF @ 10V | 1000pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 23nC @ 4.5V | 23nC @ 4.5V | 11.6nC @ 4.5V |
Время подъема | 15ns | 15ns | 12.49ns |
Время падения (тип) | 16 ns | 16 ns | 12.33 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 9.4A | 9.4A | 9.8A |
Пороговое напряжение | 1V | 500mV | 1V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 12V | 12V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 20V | 20V | 20V |
Двухпитание напряжения | 20V | 20V | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
Номинальное Vgs | 1 V | 1 V | - |
Высота | 1.5mm | 1.75mm | 1.5mm |
Длина | 5mm | 5mm | 5mm |
Ширина | 4mm | 4mm | 4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Опубликовано | - | 2017 | 2017 |
Каналов количество | - | 2 | 1 |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C | - |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | - | 7.3A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | - | 1.5V 4.5V |
Максимальная мощность рассеяния | - | - | 1.56W Ta |
Конечная обработка контакта | - | - | Matte Tin (Sn) |
Положение терминала | - | - | DUAL |
Число контактов | - | - | 8 |
Угол настройки (макс.) | - | - | ±8V |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | - | 5.6A |
Сопротивление открытого канала-макс | - | - | 0.02Ohm |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS6892A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
 | IRF7331TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC | Для сравнения |
| FDS6898A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC | Для сравнения |
 | DMN2028USS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 20V N-Channel Enhancement MOSFET SOIC8 | Для сравнения |