FDS6898AZ Альтернативные части: FDS6898A

FDS6898AZON Semiconductor

В наличии: 16939

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
55.015110 ₽
55.08 ₽
10
51.901044 ₽
518.96 ₽
100
48.963255 ₽
4,896.29 ₽
500
46.191745 ₽
23,095.88 ₽
1000
43.577115 ₽
43,577.06 ₽

Цена за единицу: 55.015110 ₽

Итоговая цена: 55.08 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDS6898AZ	иFDS6898A
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC	ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя	10 Weeks	10 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	187mg	187mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Количество элементов	2	2
Время отключения	34 ns	34 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	PowerTrench®
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Завершение	SMD/SMT	SMD/SMT
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	14MOhm	14MOhm
Дополнительная Характеристика	ESD PROTECTED	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	20V	20V
Максимальная потеря мощности	2W	2W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	-
Моментальный ток	9.4A	9.4A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	-
Квалификационный Статус	Not Qualified	-
Конфигурация элемента	Dual	Dual
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2W	2W
Время задержки включения	10 ns	10 ns
Мощность - Макс	900mW	900mW
Тип ТРВ	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	14m Ω @ 9.4A, 4.5V	14m Ω @ 9.4A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250μA	1.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1821pF @ 10V	1821pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	23nC @ 4.5V	23nC @ 4.5V
Время подъема	15ns	15ns
Время падения (тип)	16 ns	16 ns
Непрерывный ток стока (ID)	9.4A	9.4A
Пороговое напряжение	1V	500mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	12V
Напряжение пробоя стока к истоку	20V	20V
Двухпитание напряжения	20V	20V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Номинальное Vgs	1 V	1 V
Высота	1.5mm	1.75mm
Длина	5mm	5mm
Ширина	4mm	4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Опубликовано	-	2017
Каналов количество	-	2
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C
Корпусировка на излучение	-	No

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS6892A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения
IRF7331TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC	Для сравнения
FDS6898A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC	Для сравнения
DMN2028USS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	20V N-Channel Enhancement MOSFET SOIC8	Для сравнения