FDS6898AZ Альтернативные части: DMN2028USS-13

FDS6898AZON Semiconductor

В наличии: 16939

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
55.015110 ₽
55.08 ₽
10
51.901044 ₽
518.96 ₽
100
48.963255 ₽
4,896.29 ₽
500
46.191745 ₽
23,095.88 ₽
1000
43.577115 ₽
43,577.06 ₽

Цена за единицу: 55.015110 ₽

Итоговая цена: 55.08 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDS6898AZ	иDMN2028USS-13
Производитель:	ON Semiconductor	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC	20V N-Channel Enhancement MOSFET SOIC8
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	-
Срок поставки от производителя	10 Weeks	16 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	187mg	73.992255mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Количество элементов	2	1
Время отключения	34 ns	35.89 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	-
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Завершение	SMD/SMT	-
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	14MOhm	-
Дополнительная Характеристика	ESD PROTECTED	ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY
Ток постоянного напряжения - номинальный	20V	-
Максимальная потеря мощности	2W	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	260
Моментальный ток	9.4A	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	40
Квалификационный Статус	Not Qualified	-
Конфигурация элемента	Dual	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2W	1.56W
Время задержки включения	10 ns	11.67 ns
Мощность - Макс	900mW	-
Тип ТРВ	2 N-Channel (Dual)	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	14m Ω @ 9.4A, 4.5V	20m Ω @ 9.4A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250μA	1.3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1821pF @ 10V	1000pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	23nC @ 4.5V	11.6nC @ 4.5V
Время подъема	15ns	12.49ns
Время падения (тип)	16 ns	12.33 ns
Непрерывный ток стока (ID)	9.4A	9.8A
Пороговое напряжение	1V	1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	12V
Напряжение пробоя стока к истоку	20V	20V
Двухпитание напряжения	20V	-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	-
Номинальное Vgs	1 V	-
Высота	1.5mm	1.5mm
Длина	5mm	5mm
Ширина	4mm	4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	-	7.3A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	-	1.5V 4.5V
Максимальная мощность рассеяния	-	1.56W Ta
Опубликовано	-	2017
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)
Положение терминала	-	DUAL
Число контактов	-	8
Каналов количество	-	1
Угол настройки (макс.)	-	±8V
Максимальный сливовой ток (ID)	-	5.6A
Сопротивление открытого канала-макс	-	0.02Ohm
Корпусировка на излучение	-	No

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS6892A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения
IRF7331TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC	Для сравнения
FDS6898A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC	Для сравнения
DMN2028USS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	20V N-Channel Enhancement MOSFET SOIC8	Для сравнения