Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS6690A Альтернативные части: IRF7413ZTRPBF ,FDS6680A
FDS6690AON Semiconductor
В наличии: 4
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
28.639286 ₽
28.57 ₽
10
27.018201 ₽
270.19 ₽
100
25.488860 ₽
2,548.90 ₽
500
24.046099 ₽
12,023.08 ₽
1000
22.685000 ₽
22,685.03 ₽
Цена за единицу: 28.639286 ₽
Итоговая цена: 28.57 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | ON SEMICONDUCTOR - FDS6690A - Power MOSFET, N Channel, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Surface Mount | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | - | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | 12 Weeks | 18 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 130mg | - | 130mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 11A Ta | 13A Ta | 12.5A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 2.5W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 28 ns | 11 ns | 27 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | HEXFET® | PowerTrench® |
Опубликовано | 2007 | 2005 | 2004 |
Код JESD-609 | e4 | - | e4 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 12.5MOhm | 10MOhm | 9.5MOhm |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | - | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Дополнительная Характеристика | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | - | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | 30V | 30V |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 11A | 13A | 12.5A |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 9 ns | 8.7 ns | 10 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 12.5m Ω @ 11A, 10V | 10m Ω @ 13A, 10V | 9.5m Ω @ 12.5A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.25V @ 25μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1205pF @ 15V | 1210pF @ 15V | 1620pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 16nC @ 5V | 14nC @ 4.5V | 23nC @ 5V |
Время подъема | 5ns | 6.3ns | 5ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 9 ns | 3.8 ns | 15 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 11A | 13A | 12.5A |
Пороговое напряжение | 1.9V | 1.8V | 2V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 30V |
Двухпитание напряжения | 30V | 30V | 30V |
Высота | 1.5mm | 1.4986mm | 1.5mm |
Длина | 5mm | 4.9784mm | 5mm |
Ширина | 4mm | 3.9878mm | 4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Contains Lead, Lead Free | Lead Free |
Завершение | - | SMD/SMT | SMD/SMT |
Интервал строк | - | 6.3 mm | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 32 mJ | - |
Время восстановления | - | 36 ns | 28 ns |
Номинальное Vgs | - | 1.8 V | 2 V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS6294 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC | Для сравнения |
 | IRF7413ZTRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC | Для сравнения |
| FDS6680A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC | Для сравнения |
| FDS6680AS | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC | Для сравнения |