FDS6690A Альтернативные части: FDS6294

FDS6690AON Semiconductor

  • FDS6690AON Semiconductor
  • FDS6294ON Semiconductor

В наличии: 4

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    28.639286 ₽

    28.57 ₽

  • 10

    27.018201 ₽

    270.19 ₽

  • 100

    25.488860 ₽

    2,548.90 ₽

  • 500

    24.046099 ₽

    12,023.08 ₽

  • 1000

    22.685000 ₽

    22,685.03 ₽

Цена за единицу: 28.639286 ₽

Итоговая цена: 28.57 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
ON SEMICONDUCTOR - FDS6690A - Power MOSFET, N Channel, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Surface Mount
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя
18 Weeks
18 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов
8
8
Вес
130mg
130mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
11A Ta
13A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)
4.5V 10V
4.5V 10V
Количество элементов
1
1
Максимальная мощность рассеяния
2.5W Ta
3W Ta
Время отключения
28 ns
24 ns
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~175°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
PowerTrench®
Опубликовано
2007
2007
Код JESD-609
e4
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
8
8
Код ECCN
EAR99
EAR99
Сопротивление
12.5MOhm
11.3MOhm
Конечная обработка контакта
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
30V
30V
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
11A
13A
Конфигурация элемента
Single
Single
Режим работы
ENHANCEMENT MODE
ENHANCEMENT MODE
Распад мощности
2.5W
3W
Время задержки включения
9 ns
9 ns
Тип ТРВ
N-Channel
N-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
12.5m Ω @ 11A, 10V
11.3m Ω @ 13A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id
3V @ 250μA
3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
1205pF @ 15V
1205pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
16nC @ 5V
14nC @ 5V
Время подъема
5ns
4ns
Угол настройки (макс.)
±20V
±20V
Время падения (тип)
9 ns
6 ns
Непрерывный ток стока (ID)
11A
13A
Пороговое напряжение
1.9V
1.8V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
20V
20V
Напряжение пробоя стока к истоку
30V
30V
Двухпитание напряжения
30V
30V
Высота
1.5mm
1.5mm
Длина
5mm
5mm
Ширина
4mm
4mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Завершение
-
SMD/SMT
Максимальный импульсный ток вывода
-
50A
Номинальное Vgs
-
1.8 V