FDS6690A Альтернативные части: IRF7413ZTRPBF

FDS6690AON Semiconductor

В наличии: 4

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
28.639286 ₽
28.57 ₽
10
27.018201 ₽
270.19 ₽
100
25.488860 ₽
2,548.90 ₽
500
24.046099 ₽
12,023.08 ₽
1000
22.685000 ₽
22,685.03 ₽

Цена за единицу: 28.639286 ₽

Итоговая цена: 28.57 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDS6690A	иIRF7413ZTRPBF
Производитель:	ON Semiconductor	Infineon Technologies
Описание:	ON SEMICONDUCTOR - FDS6690A - Power MOSFET, N Channel, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Surface Mount	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)	-
Срок поставки от производителя	18 Weeks	12 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	130mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	11A Ta	13A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	28 ns	11 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	HEXFET®
Опубликовано	2007	2005
Код JESD-609	e4	-
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	12.5MOhm	10MOhm
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	-
Дополнительная Характеристика	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	30V
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	11A	13A
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W
Время задержки включения	9 ns	8.7 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	12.5m Ω @ 11A, 10V	10m Ω @ 13A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	2.25V @ 25μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1205pF @ 15V	1210pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	16nC @ 5V	14nC @ 4.5V
Время подъема	5ns	6.3ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Время падения (тип)	9 ns	3.8 ns
Непрерывный ток стока (ID)	11A	13A
Пороговое напряжение	1.9V	1.8V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Двухпитание напряжения	30V	30V
Высота	1.5mm	1.4986mm
Длина	5mm	4.9784mm
Ширина	4mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Contains Lead, Lead Free
Завершение	-	SMD/SMT
Интервал строк	-	6.3 mm
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	32 mJ
Время восстановления	-	36 ns
Номинальное Vgs	-	1.8 V

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS6294	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC	Для сравнения
IRF7413ZTRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC	Для сравнения
FDS6680A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC	Для сравнения
FDS6680AS	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC	Для сравнения