Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS6680A Альтернативные части: IRF8721PBF
FDS6680AON Semiconductor
В наличии: 4300
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
60.711538 ₽
60.71 ₽
10
57.275041 ₽
572.80 ₽
100
54.033049 ₽
5,403.30 ₽
500
50.974574 ₽
25,487.23 ₽
1000
48.089231 ₽
48,089.29 ₽
Цена за единицу: 60.711538 ₽
Итоговая цена: 60.71 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | - |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | 39 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Вес | 130mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 12.5A Ta | 14A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 27 ns | 8.1 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tube |
Серия | PowerTrench® | HEXFET® |
Опубликовано | 2004 | 2007 |
Код JESD-609 | e4 | - |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | - |
Завершение | SMD/SMT | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 9.5MOhm | 8.5MOhm |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | - |
Дополнительная Характеристика | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | - |
Положение терминала | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | - |
Моментальный ток | 12.5A | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 10 ns | 8.2 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 9.5m Ω @ 12.5A, 10V | 8.5m Ω @ 14A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.35V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1620pF @ 15V | 1040pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 23nC @ 5V | 12nC @ 4.5V |
Время подъема | 5ns | 11ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 15 ns | 7 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 12.5A | 14A |
Пороговое напряжение | 2V | 2.35V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V |
Двухпитание напряжения | 30V | - |
Время восстановления | 28 ns | 21 ns |
Номинальное Vgs | 2 V | 2.35 V |
Высота | 1.5mm | 1.4986mm |
Длина | 5mm | 4.9784mm |
Ширина | 4mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS6670A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R | Для сравнения |
| FDS8817NZ | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
 | IRF7413ZTRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8721PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | Для сравнения |