FDS6680A Альтернативные части: FDS8817NZ

FDS6680AON Semiconductor

В наличии: 4300

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
60.711538 ₽
60.71 ₽
10
57.275041 ₽
572.80 ₽
100
54.033049 ₽
5,403.30 ₽
500
50.974574 ₽
25,487.23 ₽
1000
48.089231 ₽
48,089.29 ₽

Цена за единицу: 60.711538 ₽

Итоговая цена: 60.71 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDS6680A	иFDS8817NZ
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC	Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя	18 Weeks	18 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	130mg	130mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	12.5A Ta	15A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	27 ns	25 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	PowerTrench®
Опубликовано	2004	2006
Код JESD-609	e4	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Завершение	SMD/SMT	-
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	9.5MOhm	-
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	-
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	12.5A	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W
Время задержки включения	10 ns	11 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	9.5m Ω @ 12.5A, 10V	7m Ω @ 15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1620pF @ 15V	2400pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	23nC @ 5V	45nC @ 10V
Время подъема	5ns	13ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Время падения (тип)	15 ns	7 ns
Непрерывный ток стока (ID)	12.5A	15A
Пороговое напряжение	2V	1.8V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Двухпитание напряжения	30V	-
Время восстановления	28 ns	-
Номинальное Vgs	2 V	1.8 V
Высота	1.5mm	1.5mm
Длина	5mm	5mm
Ширина	4mm	4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	NOT SPECIFIED
Квалификационный Статус	-	Not Qualified
Сопротивление открытого канала-макс	-	0.007Ohm
Обратная ёмкость-Макс (Crss)	-	300 pF

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS6670A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R	Для сравнения
FDS8817NZ	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения
IRF7413ZTRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8721PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC	Для сравнения