FDS6680A Альтернативные части: FDS6670A

FDS6680AON Semiconductor

В наличии: 4300

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
60.711538 ₽
60.71 ₽
10
57.275041 ₽
572.80 ₽
100
54.033049 ₽
5,403.30 ₽
500
50.974574 ₽
25,487.23 ₽
1000
48.089231 ₽
48,089.29 ₽

Цена за единицу: 60.711538 ₽

Итоговая цена: 60.71 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDS6680A	иFDS6670A
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC	Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя	18 Weeks	18 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	130mg	130mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	12.5A Ta	13A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	27 ns	40 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	PowerTrench®
Опубликовано	2004	2003
Код JESD-609	e4	e4
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Завершение	SMD/SMT	SMD/SMT
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	9.5MOhm	8MOhm
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Дополнительная Характеристика	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	30V
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	12.5A	13A
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W
Время задержки включения	10 ns	15 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	9.5m Ω @ 12.5A, 10V	8m Ω @ 13A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1620pF @ 15V	2220pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	23nC @ 5V	30nC @ 5V
Время подъема	5ns	13ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Время падения (тип)	15 ns	13 ns
Непрерывный ток стока (ID)	12.5A	13A
Пороговое напряжение	2V	1.8V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Двухпитание напряжения	30V	30V
Время восстановления	28 ns	-
Номинальное Vgs	2 V	1.8 V
Высота	1.5mm	1.5mm
Длина	5mm	5mm
Ширина	4mm	4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS6670A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R	Для сравнения
FDS8817NZ	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения
IRF7413ZTRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8721PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC	Для сравнения