Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS6630A Альтернативные части: IRF9389TRPBF ,FDS6930B
FDS6630AON Semiconductor
В наличии: 21486
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
31.493393 ₽
31.46 ₽
10
29.710728 ₽
297.12 ₽
100
28.029011 ₽
2,802.88 ₽
500
26.442459 ₽
13,221.29 ₽
1000
24.945714 ₽
24,945.74 ₽
Цена за единицу: 31.493393 ₽
Итоговая цена: 31.46 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R | MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | - | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | 12 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 130mg | - | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 6.5A Ta | 6.8A 4.6A | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | - | - |
Количество элементов | 1 | 2 | 2 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | - | - |
Время отключения | 17 ns | 17 ns | 16 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | HEXFET® | PowerTrench® |
Опубликовано | 1999 | 2008 | 2010 |
Код JESD-609 | e3 | - | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 38mOhm | - | 38MOhm |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - | Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | - | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | - | 30V |
Положение терминала | DUAL | - | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 6.5A | - | 5.5A |
Конфигурация элемента | Single | Dual | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2W | 2W |
Время задержки включения | 5 ns | - | 6 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 38m Ω @ 6.5A, 10V | 27m Ω @ 6.8A, 10V | 38m Ω @ 5.5A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.3V @ 10μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 460pF @ 15V | 398pF @ 15V | 412pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 7nC @ 5V | 14nC @ 10V | 3.8nC @ 5V |
Время подъема | 8ns | 14ns | 6ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | - | - |
Время падения (тип) | 13 ns | 15 ns | 2 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 6.5A | 4.6A | 5.5A |
Пороговое напряжение | 1.7V | 1.8V | 1.9V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 30V |
Двухпитание напряжения | 30V | - | - |
Номинальное Vgs | 1.7 V | - | 1.9 V |
Высота | 1.575mm | 1.5mm | 1.5mm |
Длина | 4.9mm | 5mm | 5mm |
Ширина | 3.9mm | 4mm | 4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Максимальная потеря мощности | - | 2W | 2W |
Основной номер части | - | IRF9389 | - |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 34A | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | NOT SPECIFIED |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Напряжение | - | - | 30V |
Текущий | - | - | 55A |
Мощность - Макс | - | - | 900mW |
Обратная ёмкость-Макс (Crss) | - | - | 60 pF |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS6930B | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC | Для сравнения |
| FDS6986AS | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC | Для сравнения |
| FDFS6N303 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | Для сравнения |
 | IRF9389TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO | Для сравнения |