FDS6630A Альтернативные части: FDS6930B

FDS6630AON Semiconductor

В наличии: 21486

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
31.493393 ₽
31.46 ₽
10
29.710728 ₽
297.12 ₽
100
28.029011 ₽
2,802.88 ₽
500
26.442459 ₽
13,221.29 ₽
1000
24.945714 ₽
24,945.74 ₽

Цена за единицу: 31.493393 ₽

Итоговая цена: 31.46 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDS6630A	иFDS6930B
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя	18 Weeks	10 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	130mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	6.5A Ta	-
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	-
Количество элементов	1	2
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	-
Время отключения	17 ns	16 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	PowerTrench®
Опубликовано	1999	2010
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	38mOhm	38MOhm
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	30V
Положение терминала	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	6.5A	5.5A
Конфигурация элемента	Single	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2W
Время задержки включения	5 ns	6 ns
Тип ТРВ	N-Channel	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	38m Ω @ 6.5A, 10V	38m Ω @ 5.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	460pF @ 15V	412pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	7nC @ 5V	3.8nC @ 5V
Время подъема	8ns	6ns
Угол настройки (макс.)	±20V	-
Время падения (тип)	13 ns	2 ns
Непрерывный ток стока (ID)	6.5A	5.5A
Пороговое напряжение	1.7V	1.9V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Двухпитание напряжения	30V	-
Номинальное Vgs	1.7 V	1.9 V
Высота	1.575mm	1.5mm
Длина	4.9mm	5mm
Ширина	3.9mm	4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Максимальная потеря мощности	-	2W
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	NOT SPECIFIED
Квалификационный Статус	-	Not Qualified
Напряжение	-	30V
Текущий	-	55A
Мощность - Макс	-	900mW
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	-	Logic Level Gate
Обратная ёмкость-Макс (Crss)	-	60 pF

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS6930B	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC	Для сравнения
FDS6986AS	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC	Для сравнения
FDFS6N303	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC	Для сравнения
IRF9389TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO	Для сравнения