FDS6630A Альтернативные части: FDS6986AS

FDS6630AON Semiconductor

В наличии: 21486

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
31.493393 ₽
31.46 ₽
10
29.710728 ₽
297.12 ₽
100
28.029011 ₽
2,802.88 ₽
500
26.442459 ₽
13,221.29 ₽
1000
24.945714 ₽
24,945.74 ₽

Цена за единицу: 31.493393 ₽

Итоговая цена: 31.46 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDS6630A	иFDS6986AS
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя	18 Weeks	18 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	130mg	187mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	6.5A Ta	6.5A 7.9A
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	-
Количество элементов	1	2
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	-
Время отключения	17 ns	24 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	PowerTrench®, SyncFET™
Опубликовано	1999	2005
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	38mOhm	29MOhm
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	30V
Положение терминала	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	6.5A	7.9A
Конфигурация элемента	Single	Dual
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2W
Время задержки включения	5 ns	-
Тип ТРВ	N-Channel	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	38m Ω @ 6.5A, 10V	29m Ω @ 6.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	460pF @ 15V	720pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	7nC @ 5V	17nC @ 10V
Время подъема	8ns	9ns
Угол настройки (макс.)	±20V	-
Время падения (тип)	13 ns	3 ns
Непрерывный ток стока (ID)	6.5A	7.9mA
Пороговое напряжение	1.7V	1.7V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Двухпитание напряжения	30V	-
Номинальное Vgs	1.7 V	-
Высота	1.575mm	1.5mm
Длина	4.9mm	5mm
Ширина	3.9mm	3.99mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Максимальная потеря мощности	-	900mW
Максимальный сливовой ток (ID)	-	6.5A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	-	Logic Level Gate

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS6930B	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC	Для сравнения
FDS6986AS	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC	Для сравнения
FDFS6N303	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC	Для сравнения
IRF9389TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO	Для сравнения