Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDS6576 Альтернативные части: FDS6575 ,FDS6898A
FDS6576ON Semiconductor
В наличии: 7030
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
110.336813 ₽
110.30 ₽
10
104.091360 ₽
1,040.93 ₽
100
98.199382 ₽
9,819.92 ₽
500
92.640893 ₽
46,320.47 ₽
1000
87.397115 ₽
87,397.12 ₽
Цена за единицу: 110.336813 ₽
Итоговая цена: 110.30 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC N T/R | MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO | ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | 18 Weeks | 10 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 130mg | 130mg | 187mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 11A Ta | 10A Ta | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 2.5V 4.5V | 2.5V 4.5V | - |
Количество элементов | 1 | 1 | 2 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 2.5W Ta | - |
Время отключения | 124 ns | 196 ns | 34 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
Опубликовано | 2006 | 2001 | 2017 |
Код JESD-609 | e4 | e4 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Завершение | SMD/SMT | - | SMD/SMT |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 14MOhm | 13MOhm | 14MOhm |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -20V | -20V | 20V |
Положение терминала | DUAL | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | -11A | -10A | 9.4A |
Конфигурация элемента | Single | Single | Dual |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W | 2W |
Время задержки включения | 18 ns | 16 ns | 10 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | P-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 14m Ω @ 11A, 4.5V | 13m Ω @ 10A, 4.5V | 14m Ω @ 9.4A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.5V @ 250μA | 1.5V @ 250μA | 1.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 4044pF @ 10V | 4951pF @ 10V | 1821pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 60nC @ 4.5V | 74nC @ 4.5V | 23nC @ 4.5V |
Время подъема | 17ns | 9ns | 15ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 20V | 20V | - |
Угол настройки (макс.) | ±12V | ±8V | - |
Время падения (тип) | 79 ns | 78 ns | 16 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 11A | 10A | 9.4A |
Пороговое напряжение | -830mV | - | 500mV |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 8V | 12V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -20V | -20V | 20V |
Двухпитание напряжения | -20V | - | 20V |
Номинальное Vgs | -830 mV | -600 mV | 1 V |
Высота | 1.5mm | 1.5mm | 1.75mm |
Длина | 5mm | 5mm | 5mm |
Ширина | 4mm | 4mm | 4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Дополнительная Характеристика | - | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | - |
Максимальная потеря мощности | - | - | 2W |
Каналов количество | - | - | 2 |
Мощность - Макс | - | - | 900mW |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | - | 150°C |
Характеристика ТРП | - | - | Logic Level Gate |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS6898AZ | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC | Для сравнения |
| FDS6575 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO | Для сравнения |
| FDS6898A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC | Для сравнения |
 | IRF7324TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC | Для сравнения |