FDS6576 Альтернативные части: FDS6898AZ

FDS6576ON Semiconductor

В наличии: 7030

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
110.336813 ₽
110.30 ₽
10
104.091360 ₽
1,040.93 ₽
100
98.199382 ₽
9,819.92 ₽
500
92.640893 ₽
46,320.47 ₽
1000
87.397115 ₽
87,397.12 ₽

Цена за единицу: 110.336813 ₽

Итоговая цена: 110.30 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDS6576	иFDS6898AZ
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	Trans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC N T/R	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя	18 Weeks	10 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	130mg	187mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	11A Ta	-
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	2.5V 4.5V	-
Количество элементов	1	2
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	-
Время отключения	124 ns	34 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	PowerTrench®
Опубликовано	2006	-
Код JESD-609	e4	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Завершение	SMD/SMT	SMD/SMT
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	14MOhm	14MOhm
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-20V	20V
Положение терминала	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	-11A	9.4A
Конфигурация элемента	Single	Dual
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2W
Время задержки включения	18 ns	10 ns
Тип ТРВ	P-Channel	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	14m Ω @ 11A, 4.5V	14m Ω @ 9.4A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250μA	1.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	4044pF @ 10V	1821pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	60nC @ 4.5V	23nC @ 4.5V
Время подъема	17ns	15ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	20V	-
Угол настройки (макс.)	±12V	-
Время падения (тип)	79 ns	16 ns
Непрерывный ток стока (ID)	11A	9.4A
Пороговое напряжение	-830mV	1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	12V
Напряжение пробоя стока к истоку	-20V	20V
Двухпитание напряжения	-20V	20V
Номинальное Vgs	-830 mV	1 V
Высота	1.5mm	1.5mm
Длина	5mm	5mm
Ширина	4mm	4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Дополнительная Характеристика	-	ESD PROTECTED
Максимальная потеря мощности	-	2W
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	NOT SPECIFIED
Квалификационный Статус	-	Not Qualified
Мощность - Макс	-	900mW
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	-	Logic Level Gate

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS6898AZ	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC	Для сравнения
FDS6575	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO	Для сравнения
FDS6898A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC	Для сравнения
IRF7324TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC	Для сравнения