FDS6576 Альтернативные части: IRF7324TRPBF

FDS6576ON Semiconductor

В наличии: 7030

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
110.336813 ₽
110.30 ₽
10
104.091360 ₽
1,040.93 ₽
100
98.199382 ₽
9,819.92 ₽
500
92.640893 ₽
46,320.47 ₽
1000
87.397115 ₽
87,397.12 ₽

Цена за единицу: 110.336813 ₽

Итоговая цена: 110.30 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDS6576	иIRF7324TRPBF
Производитель:	ON Semiconductor	Infineon Technologies
Описание:	Trans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC N T/R	MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)	-
Срок поставки от производителя	18 Weeks	12 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	130mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	11A Ta	9A
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	2.5V 4.5V	-
Количество элементов	1	2
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	-
Время отключения	124 ns	170 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	HEXFET®
Опубликовано	2006	2004
Код JESD-609	e4	e3
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Завершение	SMD/SMT	-
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	14MOhm	18mOhm
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный	-20V	-20V
Положение терминала	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	-11A	-9A
Конфигурация элемента	Single	Dual
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2W
Время задержки включения	18 ns	17 ns
Тип ТРВ	P-Channel	2 P-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	14m Ω @ 11A, 4.5V	18m Ω @ 9A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250μA	1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	4044pF @ 10V	2940pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	60nC @ 4.5V	63nC @ 5V
Время подъема	17ns	36ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	20V	20V
Угол настройки (макс.)	±12V	-
Время падения (тип)	79 ns	190 ns
Непрерывный ток стока (ID)	11A	-9A
Пороговое напряжение	-830mV	-1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	12V
Напряжение пробоя стока к истоку	-20V	-20V
Двухпитание напряжения	-20V	-
Номинальное Vgs	-830 mV	-
Высота	1.5mm	1.75mm
Длина	5mm	4.9784mm
Ширина	4mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Contains Lead, Lead Free
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности	-	2W
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	30
Основной номер части	-	IRF7324PBF
Максимальный сливовой ток (ID)	-	9A
Максимальный импульсный ток вывода	-	71A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Время восстановления	-	270 ns
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C
Характеристика ТРП	-	Logic Level Gate

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS6898AZ	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC	Для сравнения
FDS6575	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO	Для сравнения
FDS6898A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC	Для сравнения
IRF7324TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC	Для сравнения