Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FDN357N Альтернативные части: BSS306NH6327XTSA1 ,FDN358P
FDN357NON Semiconductor
В наличии: 78252
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
28.970192 ₽
28.98 ₽
10
27.330371 ₽
273.35 ₽
100
25.783365 ₽
2,578.30 ₽
500
24.323929 ₽
12,161.95 ₽
1000
22.947102 ₽
22,947.12 ₽
Цена за единицу: 28.970192 ₽
Итоговая цена: 28.98 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | 30V P-CH. FET, 125 MO, SSOT3 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) | - | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 10 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 30mg | - | 30mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 1.9A Ta | 2.3A Ta | 1.5A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 500mW Ta | 500mW Ta | 500mW Ta |
Время отключения | 12 ns | 8.3 ns | 12 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 1998 | 2011 | 2003 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Завершение | SMD/SMT | - | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 60MOhm | - | 125MOhm |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - | Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | - | -30V |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 1.9A | - | -1.5A |
Конфигурация элемента | Single | - | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 500mW | 500mW | 500mW |
Время задержки включения | 5 ns | 4.4 ns | 5 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 60m Ω @ 2.2A, 10V | 57m Ω @ 2.3A, 10V | 125m Ω @ 1.5A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2V @ 250μA | 2V @ 11μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 235pF @ 10V | 275pF @ 15V | 182pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 5.9nC @ 5V | 1.5nC @ 5V | 5.6nC @ 10V |
Время подъема | 12ns | 2.3ns | 13ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 12 ns | - | 13 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 1.9A | 2.3A | 1.5A |
Пороговое напряжение | 1.6V | 1.2V | -1.9V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | -30V |
Двухпитание напряжения | 30V | - | -30V |
Номинальное Vgs | 1.6 V | - | -1.9 V |
Минимальная разрушающая напряжение | 30V | - | - |
Высота | 940μm | 1.1mm | 1.22mm |
Длина | 2.92mm | - | 2.92mm |
Ширина | 3.05mm | - | 3.05mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin | - |
Производитель идентификатор упаковки | - | PG-SOT23 | - |
Серия | - | OptiMOS™ | PowerTrench® |
Число контактов | - | 3 | - |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
Каналов количество | - | 1 | 1 |
Без галогенов | - | Halogen Free | - |
Максимальное напряжение питания с двумя источниками | - | 30V | - |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.057Ohm | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C | 150°C |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | - | 30V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDN360P | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3 | Для сравнения |
| BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
| FDN358P | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 30V P-CH. FET, 125 MO, SSOT3 | Для сравнения |
| NDS355AN | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SuperSOT T/R | Для сравнения |