FDN357N Альтернативные части: BSS306NH6327XTSA1

FDN357NON Semiconductor

В наличии: 78252

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
28.970192 ₽
28.98 ₽
10
27.330371 ₽
273.35 ₽
100
25.783365 ₽
2,578.30 ₽
500
24.323929 ₽
12,161.95 ₽
1000
22.947102 ₽
22,947.12 ₽

Цена за единицу: 28.970192 ₽

Итоговая цена: 28.98 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDN357N	иBSS306NH6327XTSA1
Производитель:	ON Semiconductor	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3	Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)	-
Срок поставки от производителя	10 Weeks	10 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	30mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	1.9A Ta	2.3A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	500mW Ta	500mW Ta
Время отключения	12 ns	8.3 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	1998	2011
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Завершение	SMD/SMT	-
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	60MOhm	-
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	-
Дополнительная Характеристика	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	-
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	1.9A	-
Конфигурация элемента	Single	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	500mW	500mW
Время задержки включения	5 ns	4.4 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	60m Ω @ 2.2A, 10V	57m Ω @ 2.3A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2V @ 250μA	2V @ 11μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	235pF @ 10V	275pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	5.9nC @ 5V	1.5nC @ 5V
Время подъема	12ns	2.3ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Время падения (тип)	12 ns	-
Непрерывный ток стока (ID)	1.9A	2.3A
Пороговое напряжение	1.6V	1.2V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Двухпитание напряжения	30V	-
Номинальное Vgs	1.6 V	-
Минимальная разрушающая напряжение	30V	-
Высота	940μm	1.1mm
Длина	2.92mm	-
Ширина	3.05mm	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Tin
Производитель идентификатор упаковки	-	PG-SOT23
Серия	-	OptiMOS™
Число контактов	-	3
Конфигурация	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Каналов количество	-	1
Без галогенов	-	Halogen Free
Максимальное напряжение питания с двумя источниками	-	30V
Сопротивление открытого канала-макс	-	0.057Ohm
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDN360P	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3	Для сравнения
BSS306NH6327XTSA1	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
FDN358P	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	30V P-CH. FET, 125 MO, SSOT3	Для сравнения
NDS355AN	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SuperSOT T/R	Для сравнения