FDN357N Альтернативные части: NDS355AN

FDN357NON Semiconductor

В наличии: 78252

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
28.970192 ₽
28.98 ₽
10
27.330371 ₽
273.35 ₽
100
25.783365 ₽
2,578.30 ₽
500
24.323929 ₽
12,161.95 ₽
1000
22.947102 ₽
22,947.12 ₽

Цена за единицу: 28.970192 ₽

Итоговая цена: 28.98 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFDN357N	иNDS355AN
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3	Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SuperSOT T/R
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя	10 Weeks	10 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	30mg	30mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	1.9A Ta	1.7A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	500mW Ta	500mW Ta
Время отключения	12 ns	13 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	1998	1998
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Завершение	SMD/SMT	SMD/SMT
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	60MOhm	85mOhm
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	-
Дополнительная Характеристика	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	30V
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	1.9A	1.7A
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	500mW	500mW
Время задержки включения	5 ns	10 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	60m Ω @ 2.2A, 10V	85m Ω @ 1.9A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2V @ 250μA	2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	235pF @ 10V	195pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	5.9nC @ 5V	5nC @ 5V
Время подъема	12ns	32ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Время падения (тип)	12 ns	32 ns
Непрерывный ток стока (ID)	1.9A	1.7A
Пороговое напряжение	1.6V	-
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Двухпитание напряжения	30V	30V
Номинальное Vgs	1.6 V	1.6 V
Минимальная разрушающая напряжение	30V	-
Высота	940μm	1.22mm
Длина	2.92mm	2.92mm
Ширина	3.05mm	3.05mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Tin
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	NOT SPECIFIED
Квалификационный Статус	-	Not Qualified
Каналов количество	-	1
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDN360P	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3	Для сравнения
BSS306NH6327XTSA1	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
FDN358P	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	30V P-CH. FET, 125 MO, SSOT3	Для сравнения
NDS355AN	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SuperSOT T/R	Для сравнения