Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
ESDA6V1U1RL Альтернативные части: MB10S ,MB1S
ESDA6V1U1RLSTMicroelectronics
В наличии: 33000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
21.758242 ₽
21.70 ₽
10
20.526648 ₽
205.22 ₽
100
19.364753 ₽
1,936.54 ₽
500
18.268640 ₽
9,134.34 ₽
1000
17.234560 ₽
17,234.62 ₽
Цена за единицу: 21.758242 ₽
Итоговая цена: 21.70 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TVS DIODE 5V 8SOIC | BRIDGE RECT 1P 1KV 500MA 4SOIC | Diode Rectifier Bridge Single 100V 0.5A 4-Pin SOIC N T/R |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | TO-269AA, 4-BESOP | TO-269AA, 4-BESOP |
Количество контактов | 8 | 4 | 4 |
Вес | 4.535924g | 228mg | 228mg |
Материал диодного элемента | SILICON | - | - |
Пороговая напряжённость / В | 6.1V | - | - |
Количество элементов | 6 | 1 | 1 |
Обратная напряженность отстоя | 5V | - | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | ESDA, TRANSIL™ | - | - |
Код JESD-609 | e4 | - | - |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | - | - |
Завершение | SMD/SMT | - | SMD/SMT |
Код ECCN | EAR99 | - | - |
Тип | Zener | - | - |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | - | - |
Максимальная рабочая температура | 125°C | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | -55°C |
Применение | General Purpose | - | - |
Капацитивность | 100pF | 470pF | 13pF |
Мощность рейтинга | 200W | - | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 6.1V | - | 100V |
Максимальная потеря мощности | 200W | 1.4W | 1.4W |
Положение терминала | DUAL | - | - |
Форма вывода | GULL WING | - | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | - |
Глубина | 4mm | - | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | - | - |
Основной номер части | ESDA6 | MB10 | MB1 |
Число контактов | 8 | - | - |
Входной напряжение питания | 6.1V | - | - |
Рабочее напряжение | 5V | - | - |
Направленность | Bidirectional, Unidirectional | - | - |
Ток утечки | 2μA | - | - |
Количество цепей | 6 | - | - |
Конфигурация элемента | Common Anode | Single | Single |
Защита линии питания | No | - | - |
Максимальный обратный ток утечки | 2μA | - | 5μA |
Пиковый импульсный ток | 25A | - | - |
Максимальная импульсная мощность | 200W | - | - |
Направление | Unidirectional | - | - |
Ток испытания | 1mA | - | - |
Обратное пробивное напряжение | 6.1V | - | - |
Максимальное напряжение разрушения | 7.2V | - | - |
Защита от электростатического разряда | Yes | - | - |
Высота | 1.75mm | 2.9mm | 2.9mm |
Длина | 5mm | 4.95mm | 3.2004mm |
Ширина | 4mm | 4.2mm | 4.2mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Срок поставки от производителя | - | 12 Weeks | 12 Weeks |
Покрытие контактов | - | Tin | Tin |
Поставщик упаковки устройства | - | 4-SOIC | 4-SOIC |
Номинальное напряжение | - | 500V | 16V |
Рабочая температура | - | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Опубликовано | - | 2013 | 2014 |
Допуск | - | 10% | 10% |
Код корпуса (метрический) | - | 3216 | 1608 |
Код корпуса (имперский) | - | 1206 | 0603 |
Пitched Lead | - | 5.0038mm | - |
Тип диода | - | Single Phase | Single Phase |
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr | - | 5μA @ 1000V | 5μA @ 100V |
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If | - | 1V @ 500mA | 1V @ 500mA |
Напряжённая мощность | - | 800mA | 500mA |
Стиль вывода/основания | - | Formed Leads | - |
Максимальный импульсный ток | - | 35A | 35A |
Ток - Средний прямоугольный | - | 500mA | 500mA |
Напряжение включения | - | 1V | 1V |
Средний выпрямленный ток | - | 500mA | 500mA |
Пиковая обратная токовая сила | - | 500μA | 5μA |
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм) | - | 1kV | 100V |
Пиковый нерегулярный импульсный ток | - | 35A | 35A |
Обратная напряжение | - | 1kV | 100V |
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm) | - | 35A | 35A |
Напряжение - Пиковое обратное (Макс) | - | 1kV | 100V |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C | 150°C |
Обратная напряжение (DC) | - | 1kV | - |
Высота сидения (макс.) | - | 8.9916mm | - |
Толщина | - | 990.6μm | 939.8μm |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Моментальный ток | - | - | 500mA |
Распад мощности | - | - | 1.4W |
Ток выпуска | - | - | 500mA |
TVS - Диоды Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MB6S | ON Semiconductor | Диоды - Мостовые Выпрямители | TO-269AA, 4-BESOP | BRIDGE RECT 1P 600V 500MA 4SOIC | Для сравнения |
 | DA112S1RL | STMicroelectronics | TVS - Диоды | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | TVS DIODE 15VWM 8SOIC | Для сравнения |
 | MB10S | ON Semiconductor | Диоды - Мостовые Выпрямители | TO-269AA, 4-BESOP | BRIDGE RECT 1P 1KV 500MA 4SOIC | Для сравнения |
 | MB1S | ON Semiconductor | Диоды - Мостовые Выпрямители | TO-269AA, 4-BESOP | Diode Rectifier Bridge Single 100V 0.5A 4-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |