ESDA6V1U1RL Альтернативные части: MB10S

ESDA6V1U1RLSTMicroelectronics

В наличии: 33000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
21.758242 ₽
21.70 ₽
10
20.526648 ₽
205.22 ₽
100
19.364753 ₽
1,936.54 ₽
500
18.268640 ₽
9,134.34 ₽
1000
17.234560 ₽
17,234.62 ₽

Цена за единицу: 21.758242 ₽

Итоговая цена: 21.70 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иESDA6V1U1RL	иMB10S
Производитель:	STMicroelectronics	ON Semiconductor
Описание:	TVS DIODE 5V 8SOIC	BRIDGE RECT 1P 1KV 500MA 4SOIC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	TO-269AA, 4-BESOP
Количество контактов	8	4
Вес	4.535924g	228mg
Материал диодного элемента	SILICON	-
Пороговая напряжённость / В	6.1V	-
Количество элементов	6	1
Обратная напряженность отстоя	5V	-
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	ESDA, TRANSIL™	-
Код JESD-609	e4	-
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	-
Завершение	SMD/SMT	-
Код ECCN	EAR99	-
Тип	Zener	-
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	-
Максимальная рабочая температура	125°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C
Применение	General Purpose	-
Капацитивность	100pF	470pF
Мощность рейтинга	200W	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	6.1V	-
Максимальная потеря мощности	200W	1.4W
Положение терминала	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-
Глубина	4mm	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	-
Основной номер части	ESDA6	MB10
Число контактов	8	-
Входной напряжение питания	6.1V	-
Рабочее напряжение	5V	-
Направленность	Bidirectional, Unidirectional	-
Ток утечки	2μA	-
Количество цепей	6	-
Конфигурация элемента	Common Anode	Single
Защита линии питания	No	-
Максимальный обратный ток утечки	2μA	-
Пиковый импульсный ток	25A	-
Максимальная импульсная мощность	200W	-
Направление	Unidirectional	-
Ток испытания	1mA	-
Обратное пробивное напряжение	6.1V	-
Максимальное напряжение разрушения	7.2V	-
Защита от электростатического разряда	Yes	-
Высота	1.75mm	2.9mm
Длина	5mm	4.95mm
Ширина	4mm	4.2mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Срок поставки от производителя	-	12 Weeks
Покрытие контактов	-	Tin
Поставщик упаковки устройства	-	4-SOIC
Номинальное напряжение	-	500V
Рабочая температура	-	-55°C~150°C TJ
Опубликовано	-	2013
Допуск	-	10%
Код корпуса (метрический)	-	3216
Код корпуса (имперский)	-	1206
Пitched Lead	-	5.0038mm
Тип диода	-	Single Phase
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr	-	5μA @ 1000V
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If	-	1V @ 500mA
Напряжённая мощность	-	800mA
Стиль вывода/основания	-	Formed Leads
Максимальный импульсный ток	-	35A
Ток - Средний прямоугольный	-	500mA
Напряжение включения	-	1V
Средний выпрямленный ток	-	500mA
Пиковая обратная токовая сила	-	500μA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)	-	1kV
Пиковый нерегулярный импульсный ток	-	35A
Обратная напряжение	-	1kV
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)	-	35A
Напряжение - Пиковое обратное (Макс)	-	1kV
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C
Обратная напряжение (DC)	-	1kV
Высота сидения (макс.)	-	8.9916mm
Толщина	-	990.6μm
Корпусировка на излучение	-	No

TVS - Диоды Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MB6S	ON Semiconductor	Диоды - Мостовые Выпрямители	TO-269AA, 4-BESOP	BRIDGE RECT 1P 600V 500MA 4SOIC	Для сравнения
DA112S1RL	STMicroelectronics	TVS - Диоды	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	TVS DIODE 15VWM 8SOIC	Для сравнения
MB10S	ON Semiconductor	Диоды - Мостовые Выпрямители	TO-269AA, 4-BESOP	BRIDGE RECT 1P 1KV 500MA 4SOIC	Для сравнения
MB1S	ON Semiconductor	Диоды - Мостовые Выпрямители	TO-269AA, 4-BESOP	Diode Rectifier Bridge Single 100V 0.5A 4-Pin SOIC N T/R	Для сравнения