ESDA6V1U1RL Альтернативные части: MB6S

ESDA6V1U1RLSTMicroelectronics

В наличии: 33000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
21.758242 ₽
21.70 ₽
10
20.526648 ₽
205.22 ₽
100
19.364753 ₽
1,936.54 ₽
500
18.268640 ₽
9,134.34 ₽
1000
17.234560 ₽
17,234.62 ₽

Цена за единицу: 21.758242 ₽

Итоговая цена: 21.70 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иESDA6V1U1RL	иMB6S
Производитель:	STMicroelectronics	ON Semiconductor
Описание:	TVS DIODE 5V 8SOIC	BRIDGE RECT 1P 600V 500MA 4SOIC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	TO-269AA, 4-BESOP
Количество контактов	8	4
Вес	4.535924g	228mg
Материал диодного элемента	SILICON	-
Пороговая напряжённость / В	6.1V	-
Количество элементов	6	1
Обратная напряженность отстоя	5V	-
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	ESDA, TRANSIL™	-
Код JESD-609	e4	-
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	-
Завершение	SMD/SMT	-
Код ECCN	EAR99	-
Тип	Zener	-
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	-
Максимальная рабочая температура	125°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C
Применение	General Purpose	-
Капацитивность	100pF	2.2μF
Мощность рейтинга	200W	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	6.1V	600V
Максимальная потеря мощности	200W	-
Положение терминала	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-
Глубина	4mm	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	-
Основной номер части	ESDA6	MB6
Число контактов	8	-
Входной напряжение питания	6.1V	-
Рабочее напряжение	5V	-
Направленность	Bidirectional, Unidirectional	-
Ток утечки	2μA	-
Количество цепей	6	-
Конфигурация элемента	Common Anode	Single
Защита линии питания	No	-
Максимальный обратный ток утечки	2μA	5μA
Пиковый импульсный ток	25A	-
Максимальная импульсная мощность	200W	-
Направление	Unidirectional	-
Ток испытания	1mA	-
Обратное пробивное напряжение	6.1V	-
Максимальное напряжение разрушения	7.2V	-
Защита от электростатического разряда	Yes	-
Высота	1.75mm	2.9mm
Длина	5mm	1.6002mm
Ширина	4mm	4.2mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Срок поставки от производителя	-	10 Weeks
Покрытие контактов	-	Tin
Поставщик упаковки устройства	-	4-SOIC
Номинальное напряжение	-	4V
Рабочая температура	-	-55°C~150°C TJ
Опубликовано	-	2011
Допуск	-	20%
Моментальный ток	-	500mA
Код корпуса (метрический)	-	2012
Код корпуса (имперский)	-	0805
Пitched Lead	-	5.0038mm
Тип диода	-	Single Phase
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr	-	5μA @ 600V
Распад мощности	-	1.4W
Ток выпуска	-	500mA
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If	-	1V @ 500mA
Напряжённая мощность	-	500mA
Стиль вывода/основания	-	Straight
Максимальный импульсный ток	-	35A
Ток - Средний прямоугольный	-	500mA
Напряжение включения	-	1V
Средний выпрямленный ток	-	500mA
Пиковая обратная токовая сила	-	5μA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)	-	600V
Пиковый нерегулярный импульсный ток	-	35A
Обратная напряжение	-	600V
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)	-	35A
Напряжение - Пиковое обратное (Макс)	-	600V
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C
Высота сидения (макс.)	-	8.001mm
Толщина	-	558.8μm
Корпусировка на излучение	-	No

TVS - Диоды Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MB6S	ON Semiconductor	Диоды - Мостовые Выпрямители	TO-269AA, 4-BESOP	BRIDGE RECT 1P 600V 500MA 4SOIC	Для сравнения
DA112S1RL	STMicroelectronics	TVS - Диоды	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	TVS DIODE 15VWM 8SOIC	Для сравнения
MB10S	ON Semiconductor	Диоды - Мостовые Выпрямители	TO-269AA, 4-BESOP	BRIDGE RECT 1P 1KV 500MA 4SOIC	Для сравнения
MB1S	ON Semiconductor	Диоды - Мостовые Выпрямители	TO-269AA, 4-BESOP	Diode Rectifier Bridge Single 100V 0.5A 4-Pin SOIC N T/R	Для сравнения