DTA024EUBTL Альтернативные части: MMBT3906WT1G ,DTA144EUAT106

DTA024EUBTLROHM Semiconductor

  • DTA024EUBTLROHM Semiconductor
  • MMBT3906WT1GON Semiconductor
  • DTA144EUAT106ROHM Semiconductor

В наличии: 2171800

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    1.359890 ₽

    1.37 ₽

  • 500

    0.999918 ₽

    500.00 ₽

  • 1000

    0.833269 ₽

    833.24 ₽

  • 2000

    0.764464 ₽

    1,528.98 ₽

  • 5000

    0.714451 ₽

    3,572.25 ₽

  • 10000

    0.664602 ₽

    6,646.02 ₽

  • 15000

    0.642747 ₽

    9,641.21 ₽

  • 50000

    0.632005 ₽

    31,600.27 ₽

Цена за единицу: 1.359890 ₽

Итоговая цена: 1.37 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F
TRANS PNP 40V 0.2A SOT323
TRANS PREBIAS PNP 0.2W UMT3
Срок поставки от производителя
13 Weeks
5 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-85
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
85
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
50V
40V
50V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
60
60
68
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2015
2006
2006
Состояние изделия
Active
Active
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная рабочая температура
150°C
-
150°C
Дополнительная Характеристика
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
-
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Максимальная потеря мощности
200mW
150mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
FLAT
GULL WING
GULL WING
Код JESD-30
R-PDSO-F3
-
-
Выводной напряжение
-70mV
-
-
Направленность
PNP
-
PNP
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Применение транзистора
SWITCHING
AMPLIFIER
SWITCHING
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
PNP
PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
150mV
40V
300mV
Максимальный ток сбора
30mA
200mA
30mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
60 @ 5mA 10V
100 @ 10mA 1V
68 @ 5mA 5V
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
150mV @ 500μA, 5mA
400mV @ 5mA, 50mA
300mV @ 500μA, 10mA
Максимальная частота
250MHz
-
-
Частота перехода
250MHz
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
40V
50V
Частота - Переход
250MHz
-
250MHz
База (R1)
22 k Ω
-
47 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
-100mA
-
-30mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
22 k Ω
-
47 k Ω
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
-
Покрытие контактов
-
Tin
Copper, Silver, Tin
Вес
-
4.535924g
-
Рабочая температура
-
-55°C~150°C TJ
-
Код JESD-609
-
e3
-
Безоловая кодировка
-
yes
yes
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-40V
-50V
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
260
Моментальный ток
-
-200mA
-30mA
Частота
-
250MHz
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
10
Основной номер части
-
MMBT3906
DTA144
Число контактов
-
3
3
Распад мощности
-
150mW
200mW
Продуктивность полосы частот
-
250MHz
-
Полярность/Тип канала
-
PNP
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
40V
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
5V
-
Время включения максимальный (тон)
-
70ns
-
Высота
-
1mm
-
Длина
-
2.2mm
-
Ширина
-
1.35mm
-
REACH SVHC
-
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No
No
Завершение
-
-
SMD/SMT
Минимальная температура работы
-
-
-55°C
Код ТН ВЭД
-
-
8541.21.00.75
Максимальный выходной ток
-
-
100mA
Входной напряжение питания
-
-
50V
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
-
500nA