DTA024EUBTL Альтернативные части: MMBT3906WT1G

DTA024EUBTLROHM Semiconductor

  • DTA024EUBTLROHM Semiconductor
  • MMBT3906WT1GON Semiconductor

В наличии: 2171800

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    1.359890 ₽

    1.37 ₽

  • 500

    0.999918 ₽

    500.00 ₽

  • 1000

    0.833269 ₽

    833.24 ₽

  • 2000

    0.764464 ₽

    1,528.98 ₽

  • 5000

    0.714451 ₽

    3,572.25 ₽

  • 10000

    0.664602 ₽

    6,646.02 ₽

  • 15000

    0.642747 ₽

    9,641.21 ₽

  • 50000

    0.632005 ₽

    31,600.27 ₽

Цена за единицу: 1.359890 ₽

Итоговая цена: 1.37 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F
TRANS PNP 40V 0.2A SOT323
Срок поставки от производителя
13 Weeks
5 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-85
SC-70, SOT-323
Количество контактов
85
3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
50V
40V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
60
60
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2015
2006
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Дополнительная Характеристика
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
-
Максимальная потеря мощности
200mW
150mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
FLAT
GULL WING
Код JESD-30
R-PDSO-F3
-
Выводной напряжение
-70mV
-
Направленность
PNP
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Применение транзистора
SWITCHING
AMPLIFIER
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
150mV
40V
Максимальный ток сбора
30mA
200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
60 @ 5mA 10V
100 @ 10mA 1V
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
150mV @ 500μA, 5mA
400mV @ 5mA, 50mA
Максимальная частота
250MHz
-
Частота перехода
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
40V
Частота - Переход
250MHz
-
База (R1)
22 k Ω
-
Прямоходящий ток коллектора
-100mA
-
Резистор - Эмиттер-База (R2)
22 k Ω
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Покрытие контактов
-
Tin
Вес
-
4.535924g
Рабочая температура
-
-55°C~150°C TJ
Код JESD-609
-
e3
Безоловая кодировка
-
yes
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-40V
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
Моментальный ток
-
-200mA
Частота
-
250MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
Основной номер части
-
MMBT3906
Число контактов
-
3
Распад мощности
-
150mW
Продуктивность полосы частот
-
250MHz
Полярность/Тип канала
-
PNP
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
5V
Время включения максимальный (тон)
-
70ns
Высота
-
1mm
Длина
-
2.2mm
Ширина
-
1.35mm
REACH SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No