Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DTA024EUBTL Альтернативные части: DTA144EUBTL
DTA024EUBTLROHM Semiconductor
В наличии: 2171800
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
1.359890 ₽
1.37 ₽
500
0.999918 ₽
500.00 ₽
1000
0.833269 ₽
833.24 ₽
2000
0.764464 ₽
1,528.98 ₽
5000
0.714451 ₽
3,572.25 ₽
10000
0.664602 ₽
6,646.02 ₽
15000
0.642747 ₽
9,641.21 ₽
50000
0.632005 ₽
31,600.27 ₽
Цена за единицу: 1.359890 ₽
Итоговая цена: 1.37 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | - |
Корпус / Кейс | SC-85 | SC |
Количество контактов | 85 | 85 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 60 | 68 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2015 | 2012 |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1 |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | FLAT | FLAT |
Код JESD-30 | R-PDSO-F3 | R-PDSO-F3 |
Выводной напряжение | -70mV | - |
Направленность | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 150mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 30mA | 30mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 60 @ 5mA 10V | - |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 150mV @ 500μA, 5mA | - |
Максимальная частота | 250MHz | - |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | - |
База (R1) | 22 k Ω | - |
Прямоходящий ток коллектора | -100mA | -100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 22 k Ω | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Код JESD-609 | - | e1 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Конечная обработка контакта | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 10 |
Число контактов | - | 3 |
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE) | - | 68 |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMBT3906WT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-70, SOT-323 | TRANS PNP 40V 0.2A SOT323 | Для сравнения |
 | DTA144EUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 0.2W UMT3 | Для сравнения |
 | DTA144EUBTL | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F | Для сравнения |
| DTA124EUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | Для сравнения |