DTA024EUBTL Альтернативные части: DTA144EUAT106 ,DTA144EUBTL

DTA024EUBTLROHM Semiconductor

  • DTA024EUBTLROHM Semiconductor
  • DTA144EUAT106ROHM Semiconductor
  • DTA144EUBTLROHM Semiconductor

В наличии: 2171800

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    1.359890 ₽

    1.37 ₽

  • 500

    0.999918 ₽

    500.00 ₽

  • 1000

    0.833269 ₽

    833.24 ₽

  • 2000

    0.764464 ₽

    1,528.98 ₽

  • 5000

    0.714451 ₽

    3,572.25 ₽

  • 10000

    0.664602 ₽

    6,646.02 ₽

  • 15000

    0.642747 ₽

    9,641.21 ₽

  • 50000

    0.632005 ₽

    31,600.27 ₽

Цена за единицу: 1.359890 ₽

Итоговая цена: 1.37 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F
TRANS PREBIAS PNP 0.2W UMT3
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F
Срок поставки от производителя
13 Weeks
10 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
-
Корпус / Кейс
SC-85
SC-70, SOT-323
SC
Количество контактов
85
3
85
Материал элемента транзистора
SILICON
-
-
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
60
68
68
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2015
2006
2012
Состояние изделия
Active
Not For New Designs
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
150°C
Дополнительная Характеристика
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
FLAT
GULL WING
FLAT
Код JESD-30
R-PDSO-F3
-
R-PDSO-F3
Выводной напряжение
-70mV
-
-
Направленность
PNP
PNP
PNP
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
PNP - Pre-Biased
-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
150mV
300mV
300mV
Максимальный ток сбора
30mA
30mA
30mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
60 @ 5mA 10V
68 @ 5mA 5V
-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
150mV @ 500μA, 5mA
300mV @ 500μA, 10mA
-
Максимальная частота
250MHz
-
-
Частота перехода
250MHz
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Частота - Переход
250MHz
250MHz
-
База (R1)
22 k Ω
47 k Ω
-
Прямоходящий ток коллектора
-100mA
-30mA
-100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
22 k Ω
47 k Ω
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Copper, Silver, Tin
-
Безоловая кодировка
-
yes
yes
Завершение
-
SMD/SMT
-
Минимальная температура работы
-
-55°C
-55°C
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-50V
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
260
Моментальный ток
-
-30mA
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
10
10
Основной номер части
-
DTA144
-
Число контактов
-
3
3
Максимальный выходной ток
-
100mA
-
Входной напряжение питания
-
50V
-
Распад мощности
-
200mW
-
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
500nA
-
REACH SVHC
-
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
-
No
No
Код JESD-609
-
-
e1
Конечная обработка контакта
-
-
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
-
-
68