DSS30101L-7 Альтернативные части: 2SD2675TL ,BC848B-13-F

DSS30101L-7Diodes Incorporated

В наличии: 2880

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
13.983997 ₽
14.01 ₽
10
13.192445 ₽
131.87 ₽
100
12.445701 ₽
1,244.51 ₽
500
11.741277 ₽
5,870.60 ₽
1000
11.076662 ₽
11,076.65 ₽

Цена за единицу: 13.983997 ₽

Итоговая цена: 14.01 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDSS30101L-7	и2SD2675TL	иBC848B-13-F
Производитель:	Diodes Incorporated	ROHM Semiconductor	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS NPN 30V 1A SOT23	TRANS NPN 30V 1A TSMT3	TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
Срок поставки от производителя	15 Weeks	20 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SC-96	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	7.994566mg	-	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	30V	30V	30V
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	150°C TJ	-65°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2004	2003	2004
Код JESD-609	e3	e1	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-	Matte Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности	600mW	500mW	310mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	10	40
Основной номер части	DSS30101	2SD2675	-
Число контактов	3	3	-
Конфигурация элемента	Single	Single	-
Применение транзистора	SWITCHING	AMPLIFIER	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	250MHz	320MHz	-
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	30V	30V	600mV
Максимальный ток сбора	1A	1A	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	300 @ 500mA 5V	270 @ 100mA 2V	450 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	15nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	200mV @ 100mA, 1A	350mV @ 25mA, 500mA	600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода	250MHz	320MHz	300MHz
Максимальное напряжение разрушения	30V	30V	-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	30V	-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	6V	-
Прямоходящий ток коллектора	1A	1A	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	-
Покрытие контактов	-	Copper, Silver, Tin	-
Минимальная частота работы в герцах	-	270	-
Код ТН ВЭД	-	8541.21.00.75	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V	-
Моментальный ток	-	1A	-
Квалификационный Статус	-	Not Qualified	-
Максимальная частота	-	100MHz	-
Высота	-	950μm	-
Длина	-	3mm	-
Ширина	-	1.8mm	-
Дополнительная Характеристика	-	-	HIGH RELIABILITY
Нормативная Марка	-	-	AEC-Q101
Конфигурация	-	-	SINGLE
Мощность - Макс	-	-	310mW
Частота - Переход	-	-	300MHz

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
2SD2657TL	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-96	TRANS NPN 30V 1.5A TSMT 3	Для сравнения
2SD2675TL	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-96	TRANS NPN 30V 1A TSMT3	Для сравнения
BC848B-13-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23	Для сравнения
FMMT449	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin SuperSOT T/R	Для сравнения