Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DSS30101L-7 Альтернативные части: 2SD2657TL
DSS30101L-7Diodes Incorporated
В наличии: 2880
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
13.983997 ₽
14.01 ₽
10
13.192445 ₽
131.87 ₽
100
12.445701 ₽
1,244.51 ₽
500
11.741277 ₽
5,870.60 ₽
1000
11.076662 ₽
11,076.65 ₽
Цена за единицу: 13.983997 ₽
Итоговая цена: 14.01 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS NPN 30V 1A SOT23 | TRANS NPN 30V 1.5A TSMT 3 |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 20 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SC-96 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 30V | 30V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2004 | 2005 |
Код JESD-609 | e3 | e1 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - |
Максимальная потеря мощности | 600mW | 1W |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 10 |
Основной номер части | DSS30101 | 2SD2657 |
Число контактов | 3 | 3 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Применение транзистора | SWITCHING | AMPLIFIER |
Продуктивность полосы частот | 250MHz | 300MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 30V | 30V |
Максимальный ток сбора | 1A | 1.5A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 300 @ 500mA 5V | 270 @ 100mA 2V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 200mV @ 100mA, 1A | 350mV @ 50mA, 1A |
Частота перехода | 250MHz | 300MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 30V | 30V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 6V |
Прямоходящий ток коллектора | 1A | - |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Copper, Silver, Tin |
Минимальная частота работы в герцах | - | 270 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 30V |
Моментальный ток | - | 1.5A |
Частота | - | 300MHz |
Распад мощности | - | 1W |
Высота | - | 900μm |
Длина | - | 2.9mm |
Ширина | - | 1.6mm |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SD2657TL | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-96 | TRANS NPN 30V 1.5A TSMT 3 | Для сравнения |
| 2SD2675TL | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-96 | TRANS NPN 30V 1A TSMT3 | Для сравнения |
 | BC848B-13-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 | Для сравнения |
 | FMMT449 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin SuperSOT T/R | Для сравнения |