DSS30101L-7 Альтернативные части: FMMT449

DSS30101L-7Diodes Incorporated

  • DSS30101L-7Diodes Incorporated
  • FMMT449ON Semiconductor

В наличии: 2880

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    13.983997 ₽

    14.01 ₽

  • 10

    13.192445 ₽

    131.87 ₽

  • 100

    12.445701 ₽

    1,244.51 ₽

  • 500

    11.741277 ₽

    5,870.60 ₽

  • 1000

    11.076662 ₽

    11,076.65 ₽

Цена за единицу: 13.983997 ₽

Итоговая цена: 14.01 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 30V 1A SOT23
Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin SuperSOT T/R
Срок поставки от производителя
15 Weeks
7 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
7.994566mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
30V
30V
Количество элементов
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2004
2008
Код JESD-609
e3
-
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
-
Максимальная потеря мощности
600mW
500mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
Основной номер части
DSS30101
FMMT449
Число контактов
3
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Применение транзистора
SWITCHING
-
Продуктивность полосы частот
250MHz
150MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
30V
Максимальный ток сбора
1A
1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
300 @ 500mA 5V
100 @ 500mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
200mV @ 100mA, 1A
1V @ 200mA, 2A
Частота перехода
250MHz
150MHz
Максимальное напряжение разрушения
30V
30V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
Прямоходящий ток коллектора
1A
-
REACH SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
LIFETIME (Last Updated: 6 days ago)
Минимальная частота работы в герцах
-
100
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
30V
Моментальный ток
-
1A
Частота
-
150MHz
Распад мощности
-
500mW
Высота
-
940μm
Длина
-
2.92mm
Ширина
-
1.4mm