DSS30101L-7 Альтернативные части: 2SD2657TL ,2SD2675TL

DSS30101L-7Diodes Incorporated

В наличии: 2880

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
13.983997 ₽
14.01 ₽
10
13.192445 ₽
131.87 ₽
100
12.445701 ₽
1,244.51 ₽
500
11.741277 ₽
5,870.60 ₽
1000
11.076662 ₽
11,076.65 ₽

Цена за единицу: 13.983997 ₽

Итоговая цена: 14.01 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDSS30101L-7	и2SD2657TL	и2SD2675TL
Производитель:	Diodes Incorporated	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS NPN 30V 1A SOT23	TRANS NPN 30V 1.5A TSMT 3	TRANS NPN 30V 1A TSMT3
Срок поставки от производителя	15 Weeks	20 Weeks	20 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SC-96	SC-96
Количество контактов	3	3	3
Вес	7.994566mg	-	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	30V	30V	30V
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2004	2005	2003
Код JESD-609	e3	e1	e1
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-	-
Максимальная потеря мощности	600mW	1W	500mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	10	10
Основной номер части	DSS30101	2SD2657	2SD2675
Число контактов	3	3	3
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Применение транзистора	SWITCHING	AMPLIFIER	AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот	250MHz	300MHz	320MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	30V	30V	30V
Максимальный ток сбора	1A	1.5A	1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	300 @ 500mA 5V	270 @ 100mA 2V	270 @ 100mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	200mV @ 100mA, 1A	350mV @ 50mA, 1A	350mV @ 25mA, 500mA
Частота перехода	250MHz	300MHz	320MHz
Максимальное напряжение разрушения	30V	30V	30V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	50V	30V	30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	6V	6V
Прямоходящий ток коллектора	1A	-	1A
REACH SVHC	No SVHC	-	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Copper, Silver, Tin	Copper, Silver, Tin
Минимальная частота работы в герцах	-	270	270
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V	30V
Моментальный ток	-	1.5A	1A
Частота	-	300MHz	-
Распад мощности	-	1W	-
Высота	-	900μm	950μm
Длина	-	2.9mm	3mm
Ширина	-	1.6mm	1.8mm
Код ТН ВЭД	-	-	8541.21.00.75
Квалификационный Статус	-	-	Not Qualified
Максимальная частота	-	-	100MHz

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
2SD2657TL	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-96	TRANS NPN 30V 1.5A TSMT 3	Для сравнения
2SD2675TL	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-96	TRANS NPN 30V 1A TSMT3	Для сравнения
BC848B-13-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23	Для сравнения
FMMT449	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin SuperSOT T/R	Для сравнения