Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN3110S-7 Альтернативные части: FDN357N ,DMG2307L-7
DMN3110S-7Diodes Incorporated
В наличии: 15831
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
14.807692 ₽
14.84 ₽
10
13.969519 ₽
139.70 ₽
100
13.178791 ₽
1,317.86 ₽
500
12.432830 ₽
6,216.48 ₽
1000
11.729080 ₽
11,729.12 ₽
Цена за единицу: 14.807692 ₽
Итоговая цена: 14.84 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23 | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 10 Weeks | 5 Weeks |
Покрытие контактов | Gold | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | 30mg | 7.994566mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 2.5A Ta | 1.9A Ta | 2.5A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 740mW Ta | 500mW Ta | 760mW Ta |
Время отключения | 13.1 ns | 12 ns | 22.4 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2011 | 1998 | 2011 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | HIGH RELIABILITY |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | 40 |
Число контактов | 3 | - | 3 |
Каналов количество | 1 | - | 1 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.8W | 500mW | 1.36W |
Время задержки включения | 2.6 ns | 5 ns | 4.8 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 73m Ω @ 3.1mA, 10V | 60m Ω @ 2.2A, 10V | 90m Ω @ 2.5A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 305.8pF @ 15V | 235pF @ 10V | 371.3pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 8.6nC @ 10V | 5.9nC @ 5V | 8.2nC @ 10V |
Время подъема | 4.6ns | 12ns | 7.3ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 2.5 ns | 12 ns | 13.4 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 3.3A | 1.9A | 3.8A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 2.5A | - | 2.5A |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | - |
Высота | 1mm | 940μm | 1mm |
Длина | 3mm | 2.92mm | 3mm |
Ширина | 1.4mm | 3.05mm | 1.4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) | - |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Сопротивление | - | 60MOhm | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 30V | - |
Моментальный ток | - | 1.9A | - |
Пороговое напряжение | - | 1.6V | - |
Двухпитание напряжения | - | 30V | - |
Номинальное Vgs | - | 1.6 V | - |
Минимальная разрушающая напряжение | - | 30V | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | - | 30V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMG2307L-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K | Для сравнения |
| DMN3404L-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 | Для сравнения |
 | ZXMP3A17E6TA | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | SOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
 | FDN357N | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 | Для сравнения |