DMN3110S-7 Альтернативные части: DMG2307L-7

DMN3110S-7Diodes Incorporated

В наличии: 15831

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
14.807692 ₽
14.84 ₽
10
13.969519 ₽
139.70 ₽
100
13.178791 ₽
1,317.86 ₽
500
12.432830 ₽
6,216.48 ₽
1000
11.729080 ₽
11,729.12 ₽

Цена за единицу: 14.807692 ₽

Итоговая цена: 14.84 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMN3110S-7	иDMG2307L-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23	MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K
Срок поставки от производителя	15 Weeks	5 Weeks
Покрытие контактов	Gold	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	7.994566mg	7.994566mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	2.5A Ta	2.5A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	740mW Ta	760mW Ta
Время отключения	13.1 ns	22.4 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2011	2011
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Число контактов	3	3
Каналов количество	1	1
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	1.8W	1.36W
Время задержки включения	2.6 ns	4.8 ns
Тип ТРВ	N-Channel	P-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	73m Ω @ 3.1mA, 10V	90m Ω @ 2.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	305.8pF @ 15V	371.3pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	8.6nC @ 10V	8.2nC @ 10V
Время подъема	4.6ns	7.3ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Время падения (тип)	2.5 ns	13.4 ns
Непрерывный ток стока (ID)	3.3A	3.8A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	2.5A	2.5A
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	-
Высота	1mm	1mm
Длина	3mm	3mm
Ширина	1.4mm	1.4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	30V

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMG2307L-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K	Для сравнения
DMN3404L-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23	Для сравнения
ZXMP3A17E6TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	SOT-23-6	Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
FDN357N	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3	Для сравнения