DMN3110S-7 Альтернативные части: DMN3404L-7

DMN3110S-7Diodes Incorporated

В наличии: 15831

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
14.807692 ₽
14.84 ₽
10
13.969519 ₽
139.70 ₽
100
13.178791 ₽
1,317.86 ₽
500
12.432830 ₽
6,216.48 ₽
1000
11.729080 ₽
11,729.12 ₽

Цена за единицу: 14.807692 ₽

Итоговая цена: 14.84 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMN3110S-7	иDMN3404L-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23
Срок поставки от производителя	15 Weeks	15 Weeks
Покрытие контактов	Gold	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	7.994566mg	7.994566mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	2.5A Ta	5.8A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	3V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	740mW Ta	720mW Ta
Время отключения	13.1 ns	13.92 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2011	2013
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Число контактов	3	3
Каналов количество	1	1
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	1.8W	1.4W
Время задержки включения	2.6 ns	3.41 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	73m Ω @ 3.1mA, 10V	28m Ω @ 5.8A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	305.8pF @ 15V	386pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	8.6nC @ 10V	9.2nC @ 10V
Время подъема	4.6ns	6.18ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Время падения (тип)	2.5 ns	6.18 ns
Непрерывный ток стока (ID)	3.3A	4.2A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	2.5A	5.8A
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Высота	1mm	1.1mm
Длина	3mm	2.9mm
Ширина	1.4mm	1.3mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Сопротивление	-	28mOhm
Квалификационный Статус	-	Not Qualified
Пороговое напряжение	-	1.5V
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C
Номинальное Vgs	-	1.5 V

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMG2307L-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K	Для сравнения
DMN3404L-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23	Для сравнения
ZXMP3A17E6TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	SOT-23-6	Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
FDN357N	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3	Для сравнения