Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN3110S-7 Альтернативные части: DMN3404L-7 ,ZXMP3A17E6TA
DMN3110S-7Diodes Incorporated
В наличии: 15831
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
14.807692 ₽
14.84 ₽
10
13.969519 ₽
139.70 ₽
100
13.178791 ₽
1,317.86 ₽
500
12.432830 ₽
6,216.48 ₽
1000
11.729080 ₽
11,729.12 ₽
Цена за единицу: 14.807692 ₽
Итоговая цена: 14.84 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-23 T/R |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 15 Weeks | 17 Weeks |
Покрытие контактов | Gold | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-6 |
Количество контактов | 3 | 3 | 6 |
Вес | 7.994566mg | 7.994566mg | 14.996898mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 2.5A Ta | 5.8A Ta | 3.2A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 3V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 740mW Ta | 720mW Ta | 1.1W Ta |
Время отключения | 13.1 ns | 13.92 ns | 29.2 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2011 | 2013 | 2006 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | LOW THRESHOLD |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | 40 |
Число контактов | 3 | 3 | 6 |
Каналов количество | 1 | 1 | 1 |
Конфигурация элемента | Single | Single | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.8W | 1.4W | 1.1W |
Время задержки включения | 2.6 ns | 3.41 ns | 1.74 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 73m Ω @ 3.1mA, 10V | 28m Ω @ 5.8A, 10V | 70m Ω @ 3.2A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 305.8pF @ 15V | 386pF @ 15V | 630pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 8.6nC @ 10V | 9.2nC @ 10V | 15.8nC @ 10V |
Время подъема | 4.6ns | 6.18ns | 2.87ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 2.5 ns | 6.18 ns | 2.87 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 3.3A | 4.2A | 4A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 2.5A | 5.8A | 3.2A |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | - |
Высота | 1mm | 1.1mm | 1.3mm |
Длина | 3mm | 2.9mm | 3.1mm |
Ширина | 1.4mm | 1.3mm | 1.8mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Сопротивление | - | 28mOhm | 70mOhm |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Пороговое напряжение | - | 1.5V | -1V |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C | - |
Номинальное Vgs | - | 1.5 V | -800 mV |
Завершение | - | - | SMD/SMT |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | -30V |
Моментальный ток | - | - | -4A |
Конфигурация | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | - | 30V |
Двухпитание напряжения | - | - | -30V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMG2307L-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K | Для сравнения |
| DMN3404L-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 | Для сравнения |
 | ZXMP3A17E6TA | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | SOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
 | FDN357N | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 | Для сравнения |