Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN3030LSS-13 Альтернативные части: IRF8313TRPBF ,DMG4800LSD-13
DMN3030LSS-13Diodes Incorporated
В наличии: 735
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
46.053626 ₽
46.02 ₽
10
43.446799 ₽
434.48 ₽
100
40.987541 ₽
4,098.76 ₽
500
38.667486 ₽
19,333.79 ₽
1000
36.478791 ₽
36,478.85 ₽
Цена за единицу: 46.053626 ₽
Итоговая цена: 46.02 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO |
Срок поставки от производителя | 7 Weeks | - | 16 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 850.995985mg | - | 73.992255mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 9A Ta | - | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | - | - |
Количество элементов | 1 | 2 | 2 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | - | - |
Время отключения | 18 ns | 8.5 ns | 26.33 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2012 | 2008 | 2011 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) - annealed |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - | HIGH RELIABILITY |
Положение терминала | DUAL | - | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | 40 |
Число контактов | 8 | - | 8 |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - |
Каналов количество | 1 | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Время задержки включения | 3.2 ns | 8.3 ns | 5.03 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 18m Ω @ 9A, 10V | 15.5m Ω @ 9.7A, 10V | 16m Ω @ 9A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.1V @ 250μA | 2.35V @ 25μA | 1.6V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 741pF @ 15V | 760pF @ 15V | 798pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 25nC @ 10V | 9nC @ 4.5V | 8.56nC @ 5V |
Время подъема | 4.5ns | 9.9ns | 4.5ns |
Угол настройки (макс.) | ±25V | - | - |
Время падения (тип) | 14 ns | 4.2 ns | 8.55 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 9A | 9.7A | 7.5A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 25V | 20V | 25V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 9A | - | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 30V |
Максимальный импульсный ток вывода | 40A | - | - |
Высота | 1.5mm | 1.4986mm | 1.7mm |
Длина | 4.95mm | 4.9784mm | 4.95mm |
Ширина | 3.95mm | 3.9878mm | 3.95mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Серия | - | HEXFET® | - |
Сопротивление | - | 15.5MOhm | - |
Максимальная потеря мощности | - | 2W | 1.17W |
Основной номер части | - | IRF8313PBF | DMG4800LSD |
Конфигурация элемента | - | Dual | Dual |
Распад мощности | - | 2W | 1.17W |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V | 30V |
Пороговое напряжение | - | 1.8V | 1.6V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 46 mJ | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Номинальное Vgs | - | 1.8 V | - |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Сопротивление открытого канала-макс | - | - | 0.016Ohm |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | - | 150°C |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF8313TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | Для сравнения |
 | DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO | Для сравнения |
 | FDS8878 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC | Для сравнения |
| DMN4468LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N CH 30V 10A 8SOP | Для сравнения |