DMN3030LSS-13 Альтернативные части: FDS8878

DMN3030LSS-13Diodes Incorporated

В наличии: 735

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
46.053626 ₽
46.02 ₽
10
43.446799 ₽
434.48 ₽
100
40.987541 ₽
4,098.76 ₽
500
38.667486 ₽
19,333.79 ₽
1000
36.478791 ₽
36,478.85 ₽

Цена за единицу: 46.053626 ₽

Итоговая цена: 46.02 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMN3030LSS-13	иFDS8878
Производитель:	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Срок поставки от производителя	7 Weeks	18 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	850.995985mg	130mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	9A Ta	10.2A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	18 ns	45 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2012	2001
Код JESD-609	e3	e4
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-
Число контактов	8	-
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
Каналов количество	1	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения	3.2 ns	9 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	18m Ω @ 9A, 10V	14m Ω @ 10.2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250μA	2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	741pF @ 15V	897pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	25nC @ 10V	26nC @ 10V
Время подъема	4.5ns	29ns
Угол настройки (макс.)	±25V	±20V
Время падения (тип)	14 ns	18 ns
Непрерывный ток стока (ID)	9A	10.2A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	25V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	9A	-
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Максимальный импульсный ток вывода	40A	-
Высота	1.5mm	1.5mm
Длина	4.95mm	5mm
Ширина	3.95mm	4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Покрытие контактов	-	Tin
Серия	-	PowerTrench®
Сопротивление	-	14MOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V
Моментальный ток	-	10.2A
Конфигурация элемента	-	Single
Распад мощности	-	2.5W
Пороговое напряжение	-	2.5V
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	57 mJ
Номинальное Vgs	-	2.5 V
Без свинца	-	Lead Free

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF8313TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC	Для сравнения
DMG4800LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO	Для сравнения
FDS8878	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC	Для сравнения
DMN4468LSS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N CH 30V 10A 8SOP	Для сравнения