DMN3030LSS-13 Альтернативные части: IRF8313TRPBF

DMN3030LSS-13Diodes Incorporated

В наличии: 735

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
46.053626 ₽
46.02 ₽
10
43.446799 ₽
434.48 ₽
100
40.987541 ₽
4,098.76 ₽
500
38.667486 ₽
19,333.79 ₽
1000
36.478791 ₽
36,478.85 ₽

Цена за единицу: 46.053626 ₽

Итоговая цена: 46.02 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMN3030LSS-13	иIRF8313TRPBF
Производитель:	Diodes Incorporated	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	7 Weeks	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	850.995985mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	9A Ta	-
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	-
Количество элементов	1	2
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	-
Время отключения	18 ns	8.5 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2012	2008
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-
Положение терминала	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-
Число контактов	8	-
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
Каналов количество	1	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения	3.2 ns	8.3 ns
Тип ТРВ	N-Channel	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	18m Ω @ 9A, 10V	15.5m Ω @ 9.7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250μA	2.35V @ 25μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	741pF @ 15V	760pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	25nC @ 10V	9nC @ 4.5V
Время подъема	4.5ns	9.9ns
Угол настройки (макс.)	±25V	-
Время падения (тип)	14 ns	4.2 ns
Непрерывный ток стока (ID)	9A	9.7A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	25V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	9A	-
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Максимальный импульсный ток вывода	40A	-
Высота	1.5mm	1.4986mm
Длина	4.95mm	4.9784mm
Ширина	3.95mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Серия	-	HEXFET®
Сопротивление	-	15.5MOhm
Максимальная потеря мощности	-	2W
Основной номер части	-	IRF8313PBF
Конфигурация элемента	-	Dual
Распад мощности	-	2W
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	30V
Пороговое напряжение	-	1.8V
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	46 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	-	Logic Level Gate
Номинальное Vgs	-	1.8 V
Без свинца	-	Lead Free

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF8313TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC	Для сравнения
DMG4800LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO	Для сравнения
FDS8878	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC	Для сравнения
DMN4468LSS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N CH 30V 10A 8SOP	Для сравнения