DMN2016LHAB-7 Альтернативные части: DMN2015UFDE-7 ,DMP2018LFK-7

DMN2016LHAB-7Diodes Incorporated

В наличии: 3000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
59.485934 ₽
59.48 ₽
10
56.118832 ₽
561.13 ₽
100
52.942294 ₽
5,294.23 ₽
500
49.945536 ₽
24,972.80 ₽
1000
47.118420 ₽
47,118.41 ₽

Цена за единицу: 59.485934 ₽

Итоговая цена: 59.48 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMN2016LHAB-7	иDMN2015UFDE-7	иDMP2018LFK-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN	MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN	MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN
Срок поставки от производителя	14 Weeks	6 Weeks	14 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-UDFN Exposed Pad	6-PowerUDFN	6-PowerUDFN
Количество контактов	6	6	6
Поставщик упаковки устройства	U-DFN2030-6	-	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	7.5A	10.5A Ta	9.2A Ta
Время отключения	40.9 ns	43.6 ns	240.8 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2013	2013	2012
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура	150°C	-	-
Минимальная температура работы	-55°C	-	-
Максимальная потеря мощности	1.2W	-	-
Каналов количество	2	1	1
Конфигурация элемента	Dual	-	Single
Время задержки включения	6.9 ns	7.4 ns	22.8 ns
Мощность - Макс	1.2W	-	-
Тип ТРВ	2 N-Channel (Dual) Common Drain	N-Channel	P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	15.5mOhm @ 4A, 4.5V	11.6m Ω @ 8.5A, 4.5V	16m Ω @ 3.6A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 250μA	1.1V @ 250μA	1.2V @ 200μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1550pF @ 10V	1779pF @ 10V	4748pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	16nC @ 4.5V	45.6nC @ 10V	113nC @ 10V
Время подъема	15.5ns	16.8ns	29.8ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	20V	-	-
Время падения (тип)	12 ns	10.9 ns	100.6 ns
Непрерывный ток стока (ID)	7.5A	10.5A	9.2A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	12V	12V
Напряжение пробоя стока к истоку	20V	20V	20V
Входной ёмкости	1.55nF	-	-
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	-	-
Сопротивление стока к истоку	30mOhm	-	-
Rds на макс.	15.5 mΩ	-	-
Высота	600μm	580μm	580μm
Длина	2.05mm	2.05mm	2.55mm
Ширина	3.05mm	2.05mm	2.35mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Материал элемента транзистора	-	SILICON	SILICON
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	-	1.5V 4.5V	1.5V 4.5V
Количество элементов	-	1	1
Максимальная мощность рассеяния	-	660mW Ta	1W Ta
Код JESD-609	-	e4	e4
Безоловая кодировка	-	yes	yes
Количество выводов	-	3	4
Код ECCN	-	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	-	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Положение терминала	-	DUAL	DUAL
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	40	40
Код JESD-30	-	R-PDSO-N3	R-PDSO-N4
Конфигурация	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
Режим работы	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка	-	DRAIN	DRAIN
Применение транзистора	-	SWITCHING	SWITCHING
Угол настройки (макс.)	-	±12V	±12V
Максимальный сливовой ток (ID)	-	9.4A	-
Без свинца	-	Lead Free	Lead Free
Число контактов	-	-	6
Максимальный импульсный ток вывода	-	-	90A

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMN2014LHAB-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-UFDFN Exposed Pad	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN	Для сравнения
NTLTD7900ZR2G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-VDFN Exposed Pad	MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO	Для сравнения
DMN2015UFDE-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	6-PowerUDFN	MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN	Для сравнения
DMP2018LFK-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	6-PowerUDFN	MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN	Для сравнения