Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN2016LHAB-7 Альтернативные части: DMN2015UFDE-7
DMN2016LHAB-7Diodes Incorporated
В наличии: 3000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
59.485934 ₽
59.48 ₽
10
56.118832 ₽
561.13 ₽
100
52.942294 ₽
5,294.23 ₽
500
49.945536 ₽
24,972.80 ₽
1000
47.118420 ₽
47,118.41 ₽
Цена за единицу: 59.485934 ₽
Итоговая цена: 59.48 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN | MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 6 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-UDFN Exposed Pad | 6-PowerUDFN |
Количество контактов | 6 | 6 |
Поставщик упаковки устройства | U-DFN2030-6 | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 7.5A | 10.5A Ta |
Время отключения | 40.9 ns | 43.6 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2013 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - |
Максимальная потеря мощности | 1.2W | - |
Каналов количество | 2 | 1 |
Конфигурация элемента | Dual | - |
Время задержки включения | 6.9 ns | 7.4 ns |
Мощность - Макс | 1.2W | - |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 4A, 4.5V | 11.6m Ω @ 8.5A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.1V @ 250μA | 1.1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1550pF @ 10V | 1779pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 16nC @ 4.5V | 45.6nC @ 10V |
Время подъема | 15.5ns | 16.8ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 20V | - |
Время падения (тип) | 12 ns | 10.9 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 7.5A | 10.5A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 12V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 20V | 20V |
Входной ёмкости | 1.55nF | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - |
Сопротивление стока к истоку | 30mOhm | - |
Rds на макс. | 15.5 mΩ | - |
Высота | 600μm | 580μm |
Длина | 2.05mm | 2.05mm |
Ширина | 3.05mm | 2.05mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 1.5V 4.5V |
Количество элементов | - | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | - | 660mW Ta |
Код JESD-609 | - | e4 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Количество выводов | - | 3 |
Код ECCN | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY |
Положение терминала | - | DUAL |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 |
Код JESD-30 | - | R-PDSO-N3 |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE |
Сокетная связка | - | DRAIN |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Угол настройки (макс.) | - | ±12V |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 9.4A |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN2014LHAB-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 6-UFDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN | Для сравнения |
 | NTLTD7900ZR2G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-VDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO | Для сравнения |
 | DMN2015UFDE-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-PowerUDFN | MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN | Для сравнения |
 | DMP2018LFK-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-PowerUDFN | MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN | Для сравнения |