DMN2016LHAB-7 Альтернативные части: DMN2014LHAB-7

DMN2016LHAB-7Diodes Incorporated

В наличии: 3000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
59.485934 ₽
59.48 ₽
10
56.118832 ₽
561.13 ₽
100
52.942294 ₽
5,294.23 ₽
500
49.945536 ₽
24,972.80 ₽
1000
47.118420 ₽
47,118.41 ₽

Цена за единицу: 59.485934 ₽

Итоговая цена: 59.48 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMN2016LHAB-7	иDMN2014LHAB-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
Срок поставки от производителя	14 Weeks	14 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-UDFN Exposed Pad	6-UFDFN Exposed Pad
Количество контактов	6	7
Поставщик упаковки устройства	U-DFN2030-6	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	7.5A	9A
Время отключения	40.9 ns	40.9 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2013	2015
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура	150°C	-
Минимальная температура работы	-55°C	-
Максимальная потеря мощности	1.2W	800mW
Каналов количество	2	-
Конфигурация элемента	Dual	-
Время задержки включения	6.9 ns	6.9 ns
Мощность - Макс	1.2W	-
Тип ТРВ	2 N-Channel (Dual) Common Drain	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	15.5mOhm @ 4A, 4.5V	13m Ω @ 4A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 250μA	1.1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1550pF @ 10V	1550pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	16nC @ 4.5V	16nC @ 4.5V
Время подъема	15.5ns	15.5ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	20V	20V
Время падения (тип)	12 ns	12 ns
Непрерывный ток стока (ID)	7.5A	9.3A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	12V
Напряжение пробоя стока к истоку	20V	-
Входной ёмкости	1.55nF	-
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Сопротивление стока к истоку	30mOhm	-
Rds на макс.	15.5 mΩ	-
Высота	600μm	600μm
Длина	2.05mm	3.05mm
Ширина	3.05mm	2.05mm
REACH SVHC	No SVHC	-
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Код JESD-609	-	e4
Код ECCN	-	EAR99
Конечная обработка контакта	-	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	30

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMN2014LHAB-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-UFDFN Exposed Pad	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN	Для сравнения
NTLTD7900ZR2G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-VDFN Exposed Pad	MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO	Для сравнения
DMN2015UFDE-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	6-PowerUDFN	MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN	Для сравнения
DMP2018LFK-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	6-PowerUDFN	MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN	Для сравнения