DMN2004DMK-7Diodes Incorporated
В наличии: 144692
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
27.824066 ₽
27.88 ₽
10
26.249135 ₽
262.50 ₽
100
24.763324 ₽
2,476.37 ₽
500
23.361662 ₽
11,680.77 ₽
1000
22.039245 ₽
22,039.29 ₽
Цена за единицу: 27.824066 ₽
Итоговая цена: 27.88 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26 | MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26 |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 15 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-6 | SOT-23-6 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 2 |
Рабочая температура | -65°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2011 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 20V | - |
Максимальная потеря мощности | 225mW | 980mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | 540mA | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | DMN2004DMK | DMG9926UDM |
Число контактов | 6 | 6 |
Конфигурация элемента | Dual | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 225mW | 980mW |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 550m Ω @ 540mA, 4.5V | 28m Ω @ 8.2A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 900mV @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 150pF @ 16V | 856pF @ 10V |
Непрерывный ток стока (ID) | 540mA | 4.2A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 8V | 8V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 0.54A | - |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.55Ohm | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 20V | 20V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Высота | 1.1mm | 1.3mm |
Длина | 3mm | 3.1mm |
Ширина | 1.6mm | 1.7mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Время отключения | - | 40.4 ns |
Время задержки включения | - | 8.4 ns |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | - | 8.3nC @ 4.5V |
Время подъема | - | 8.2ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 20V |
Время падения (тип) | - | 8.9 ns |