DMN2004DMK-7 Альтернативные части: DMC2700UDM-7

DMN2004DMK-7Diodes Incorporated

  • DMN2004DMK-7Diodes Incorporated
  • DMC2700UDM-7Diodes Incorporated

В наличии: 144692

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    27.824066 ₽

    27.88 ₽

  • 10

    26.249135 ₽

    262.50 ₽

  • 100

    24.763324 ₽

    2,476.37 ₽

  • 500

    23.361662 ₽

    11,680.77 ₽

  • 1000

    22.039245 ₽

    22,039.29 ₽

Цена за единицу: 27.824066 ₽

Итоговая цена: 27.88 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R
Срок поставки от производителя
16 Weeks
17 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-23-6
SOT-23-6
Количество контактов
6
6
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Количество элементов
2
2
Рабочая температура
-65°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2011
2011
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
Ток постоянного напряжения - номинальный
20V
-
Максимальная потеря мощности
225mW
1.12W
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Моментальный ток
540mA
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
Основной номер части
DMN2004DMK
DMC2700UDM
Число контактов
6
6
Конфигурация элемента
Dual
-
Режим работы
ENHANCEMENT MODE
ENHANCEMENT MODE
Распад мощности
225mW
1.12W
Тип ТРВ
2 N-Channel (Dual)
N and P-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
550m Ω @ 540mA, 4.5V
400m Ω @ 600mA, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id
1V @ 250μA
1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
150pF @ 16V
60.67pF @ 16V
Непрерывный ток стока (ID)
540mA
1.14A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
8V
6V
Максимальный сливовой ток (ID)
0.54A
1.34A
Сопротивление открытого канала-макс
0.55Ohm
0.4Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку
20V
20V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Высота
1.1mm
1.3mm
Длина
3mm
3.1mm
Ширина
1.6mm
1.7mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
-
1.34A 1.14A
Время отключения
-
28.4 ns
Положение терминала
-
DUAL
Время задержки включения
-
5.1 ns
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
-
0.74nC @ 4.5V
Полярность/Тип канала
-
N-CHANNEL AND P-CHANNEL